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从效率方面来说，除精细的FOC电机控制方法外MOSFET器件本身是另外一个效率的决定因素。好的MOSFET意味着更低的RDS(ON)、更低的开关损耗，从而功率电路才可能有更高的效率。因EPS系统功率从300W到几个千瓦不等，所以对MOSFET的电流大小要求跨度也很大。从上图方案中40V的Infineon汽车级N-MOSFET完全能满足这个功率范围的不同需求，并且有着业内领先的导通和开关损耗。
可靠性方面对不同功能部分涉及的内容也不同。对于三相逆变桥来说，因其工作原理非常成熟，所以这部分的可靠性主要受制于实现时的系统设计能力、PCB布局走线、电磁兼容EMC以及热设计等相关的设计能力。英飞凌北京汽车系统工程部在这几个方面都积累了多年的经验，尤其是在用单层铝基板实现方式上有着非常成熟的方案。
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