MOS管控制电源输出，一直击穿

只看该作者 · 2020-9-9 20:49

如下电路，输入36V，通过控制Q45的栅极开控制电源的输出，当不加负载的时候，TURN-BAT-4为低时输出有电压，TURN-BAT-4为高时输出无电压。
但是当MOS管流过电流也就是输出有负载的情况下，将TURN-BAT-4引脚置1，MOS管击穿，不清楚什么原因，请帮忙分析一下。

只看该作者 · 2020-9-10 08:46

king5555 发表于 2020-9-10 08:00
Q34的PMOS去查Vgs极限值。电路的逻辑跟你讲的巅倒，同向关系。

不好意思，电路的逻辑是我说反了，正确的是TNRN-BAT-4是低电平的时候输出无电压，TURN-BAT-4是高电平的时候输出有电压，但是问题来了，当输出无负载的时候可以正常关断，当输出加负载后，关断MOS管，Q34会击穿！

只看该作者 · 2020-9-10 08:50

lightour 发表于 2020-9-10 08:46
不好意思，电路的逻辑是我说反了，正确的是TNRN-BAT-4是低电平的时候输出无电压，TURN-BAT-4是高电平的时 ...

Vgs的极限电压，没搞清楚是什么意思，请指教

只看该作者 · 2020-9-10 11:54

目前将Vgs设置成14V，不加负载情况下，功能正常，加负载哪怕很小，也会将mos管烧掉

只看该作者 · 2020-9-10 12:16

本帖最后由 zhaomb 于 2020-9-10 12:17 编辑

电路设计错误，导通时实际上MOS处于半导通状态，部分电压落在MOS上面，P=U*I，无负载时I=0，有负载时P远大于MOS的承受功率，导致MOS上发热厉害烧毁。跟耐压值没有半毛钱关系

只看该作者 · 2020-9-10 12:27

zhaomb 发表于 2020-9-10 12:16
电路设计错误，导通时实际上MOS处于半导通状态，部分电压落在MOS上面，P=U*I，无负载时I=0，有负载时P远大 ...

请问这个电路怎么改，哪里设计错了！

只看该作者 · 2020-9-10 15:24

图呢？图都看不到了。我记得是把中间那个管子拿掉，那是过流保护的，那个地方要重新设计

只看该作者 · 2020-9-10 20:15

我觉得，电压应该一点点的往上加，看看情况，好发现问题出在哪里