mos管的门限电压问题

发表于 2012-1-13 11:43

请问mos管的门限电压是什么意思啊？该怎么理解？比如IRF540门限电压Vgs--min：2v，typ：3v，max：4v，是栅极电压最好在2v到4v这个范围内安全还是栅极电压最好大于4v才安全？我的理解是每个mos管的门限电压有偏差，是一个范围2--4，如果在这个范围内有可能导通也有可能截止，但是大于它的最大值4v的话，就一定会导通，但是听别人说是2--4v才安全，大于4v会烧坏mos管，但是资料上说的mos管的栅极电压极限是+-20v啊。请教各位了！

发表于 2012-1-13 11:49

你的理解正确

发表于 2012-1-13 12:47

理解基本正确，但门限电压是MOS管开始导通的电压，之后随Vgs加大有个逐渐导通的过程。要想MOS管充分导通，一般要10V。至于+-20V是极限电压，在这个电压之内保证不损坏。

发表于 2012-1-13 13:10

mos管的Vgs一般都在10v么？这样会不会烧坏mos管啊？

发表于 2012-1-13 13:59

不会

mos管的门限电压问题

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