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关于MOSFET的寄生二极管，比较困惑！

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楼主
polaris@1982|  楼主 | 2012-1-16 12:00 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOSFET, 二极管, AC
下图是MOSFET的结构示意图，我怎么看，D、S之间都是2个背靠背的二极管，怎么会有一个跨接在DS之间的二极管呢？？多谢！


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沙发
bbyeah| | 2012-1-16 12:56 | 只看该作者
常见的分立MOS器件，B和S是连在一起的
如果没有连在一起，B会接到系统里最低的电位，这个时候也只需要考虑那一个二极管就够了，另一个肯定不会导通

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板凳
polaris@1982|  楼主 | 2012-1-17 08:16 | 只看该作者
LS，照你的说法，只要在DS之间加一个电压，即便VGS=0，DS之间也是有电流的咯？？

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地板
lymex| | 2012-1-17 10:22 | 只看该作者
楼主引用的结构图，是不带寄生二极管的。
看图，Fig就是这种两侧引出D、S的，符号上没有寄生二极管：
[local]1[/local]



而下面这个是现代的，D、S是上下引出的，才带有寄生二极管：
[local]2[/local]



资料来源：http://www.irf.com/technical-info/appnotes/mosfet.pdf

T1.gif (17.33 KB )

T1.gif

T2.gif (16.89 KB )

T2.gif

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5楼
xmar| | 2012-1-17 10:45 | 只看该作者
lymex的回答准确、认真。支持。

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6楼
polaris@1982|  楼主 | 2012-1-17 12:00 | 只看该作者
本帖最后由 polaris@1982 于 2012-1-17 21:15 编辑

我好像看到坛子里有大侠说，不存在不带寄生二极管的MOSFET。。。。。。

不过，我的看法是，只有大电流的功率MOS管才会做一个寄生的二极管，主要是防止DS被反向击穿。

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7楼
polaris@1982|  楼主 | 2012-1-17 21:15 | 只看该作者
lymex的回答准确、认真。支持。
xmar 发表于 2012-1-17 10:45


always.....

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8楼
xukun977| | 2012-1-17 22:20 | 只看该作者
楼主图中的图片是CMOS工艺器件，4楼2图是“功率MOSFET” ，DMOS N沟的

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9楼
polaris@1982|  楼主 | 2012-1-18 11:55 | 只看该作者
那么，只有大电流的功率MOS所采用的特殊工艺才造成这个寄生二极管咯？
CMOS工艺不存在这个寄生二极管，是这样的吗？

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10楼
xukun977| | 2012-2-1 13:03 | 只看该作者
是的，取决于工艺
顶楼单单说是MOSFET，有没有DS二极管不好说。

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11楼
mabh581| | 2012-3-8 21:14 | 只看该作者
学习了！

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12楼
ttry135| | 2012-11-26 20:27 | 只看该作者
又学一招

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13楼
BruceLone| | 2013-7-26 00:38 | 只看该作者
lymex 发表于 2012-1-17 10:22
楼主引用的结构图，是不带寄生二极管的。
看图，Fig就是这种两侧引出D、S的，符号上没有寄生二极管：
[loca ...

最近拜读您关于微电流检测的资料，佩服之至。在这里想向您请教一下如果在一些应用场合，比如同步整流中升压部分防止输出电容对地放电的MOSFET要求其源极电压比漏极电压高，但是MOSFET自身带有体二极管，导致源极电压不能高于漏极电压，如此该如何消除体二极管带来的问题呢？希望能够解答，谢谢。

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14楼
flyhorsefan| | 2013-8-27 09:50 | 只看该作者
学习

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15楼
afan2009| | 2016-10-5 08:21 | 只看该作者
BruceLone 发表于 2013-7-26 00:38
最近拜读您关于微电流检测的资料，佩服之至。在这里想向您请教一下如果在一些应用场合，比如同步整流中升 ...

同问，源极比漏极电压高的的情况如避免反向导通。

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