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STM32 FSMC驱动SRAM的问题

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楼主
bcdok|  楼主 | 2012-1-16 13:39 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
STM32, FSMC, SRAM, 信号, ce
本帖最后由 bcdok 于 2012-1-16 13:42 编辑

各位
我现在用的MCU为STM32F103ZET6，SRAM为IS61LV51216，现在不能正常工作
原理图连接都是参照的STM3210E_EVAL的官方原理图，测试程序也是参考的官方的
用万用表测量总线信号，CE WE OE ADDR都正常，但是读出的数据同一个数
NBL0 NBL1信号的具体作用不太了解，数据总线为16位，为何还要在分高低字节呢
测量的NBL0 NBL1信号在平时都是低电平，在写时序中与CE信号一致，而读时序中则完全没有信号

感觉问题是出在NBL信号上了，但FSMC就那两个寄存器，程序也用的官方的，实在搞不懂还能有什么可能

之前在网上查了下，好像有人也同样遇到FSMC驱动SRAM的问题，但都没有结果
哪位遇到类似问题了，帮忙解决下，万分感谢

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沙发
nikita-fuck| | 2012-1-16 15:12 | 只看该作者
IS61LV51216是个性价比最垃圾的型号。。介意用25616

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板凳
bcdok|  楼主 | 2012-1-16 17:35 | 只看该作者
同一个厂的型号性能上会有差异么
本来想内存大点的，这个是最大的
考虑换下试试吧

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地板
香水城| | 2012-1-17 11:05 | 只看该作者
检查这种动态的信号怎么能用万用表呢？最好是逻辑分析仪，至少要使用示波器。

NBL是用于访问单个字节时选择字节地址的。

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5楼
bcdok|  楼主 | 2012-1-17 11:54 | 只看该作者
没表达清楚，是用的示波器，双探头测的

正常访问WORD时NBL都是低电平就对了吧，但平时也一直是低，感觉应该保持高电平啊(低电平有效)
按这样看的话应该时序没问题了，但是数据总线上输出的值明显不对，保持为一个固定值(不是0xFF)

换了几个SRAM片子现象都一样，是SRAM的问题，还是FSMC的问题
现在FSMC驱动DM9000和NAND FLASH都正常，唯独SRAM有问题

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6楼
香水城| | 2012-1-17 12:29 | 只看该作者
没表达清楚，是用的示波器，双探头测的

正常访问WORD时NBL都是低电平就对了吧，但平时也一直是低，感觉应该保持高电平啊(低电平有效)
按这样看的话应该时序没问题了，但是数据总线上输出的值明显不对，保持为一个固 ...
bcdok 发表于 2012-1-17 11:54


只看NBL不能判断问题。

NBL只在片选有效时起作用，平时也一直是低并无不妥。

关键是看读写信号与片选信号的关系是否正确，同时数据信号线的变化关系是否正确。

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7楼
baidudz| | 2012-1-17 18:53 | 只看该作者
如果有条件，用逻辑分析仪看看

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8楼
bcdok|  楼主 | 2012-2-8 09:37 | 只看该作者
SRAM换为IS61LV25616也是相同的情况，线序上看不出什么问题
难道是PCB布线的问题，不会要求这么严格吧

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9楼
mybao| | 2012-2-8 10:38 | 只看该作者
IS61LV25616,不错

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10楼
IJK| | 2012-2-9 09:27 | 只看该作者
NBL0 NBL1信号的作用主要为了进行字节操作。偶字节读写时仅NBL0有效，奇字节读写时仅NBL1有效；字读写时NBL0、NBL1都必须有效。
如果担心STM32 FSMC出来的时序太快，软件上改改增加delay时间，很容易把时序降低的。

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11楼
bcdok|  楼主 | 2012-2-9 10:12 | 只看该作者
试过调整寄存器BTR BCR中时钟分频的值，工作模式之类的
时序调的很大，好像都没什么效果

NBL0 NBL1信号平时一直为低电平，访问其他NE片选时有明显的波形
但访问连接SRAM的NE3时就不稳定，没有波形，一直为低电平

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12楼
IJK| | 2012-2-9 11:01 | 只看该作者
试过调整寄存器BTR BCR中时钟分频的值，工作模式之类的
时序调的很大，好像都没什么效果

NBL0 NBL1信号平时一直为低电平，访问其他NE片选时有明显的波形
但访问连接SRAM的NE3时就不稳定，没有波形，一直为低电平 ...
bcdok 发表于 2012-2-9 10:12


如同版主在6L解释，NBL0 NBL1信号可能没有问题。LZ不必把思路只放在NBL0 NBL1信号上。

LZ最好把抓到的波形贴出来，并配合适当的解释，否则感觉LZ没说清楚问题在哪里。

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13楼
IJK| | 2012-2-9 11:04 | 只看该作者
没表达清楚，是用的示波器，双探头测的

正常访问WORD时NBL都是低电平就对了吧，但平时也一直是低，感觉应该保持高电平啊(低电平有效)
按这样看的话应该时序没问题了，但是数据总线上输出的值明显不对，保持为一个固 ...
bcdok 发表于 2012-1-17 11:54


“数据总线上输出的值明显不对，保持为一个固定值(不是0xFF)“
LZ可以在“数据线上加上拉或者下拉的1k左右电阻，看看能否改变这个固定值，以弄清楚这个固定值是不是真的SRAM的输出。

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14楼
小菜鸟JOY| | 2013-4-29 10:31 | 只看该作者
我的板焊好后都不能下载呀，接线正确，电压正常，求高人指点！

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15楼
小菜鸟JOY| | 2013-4-29 10:32 | 只看该作者
图

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16楼
小菜鸟JOY| | 2013-5-16 15:08 | 只看该作者
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17楼
小菜鸟JOY| | 2013-5-16 15:08 | 只看该作者
怎么办呀？

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18楼
_icmcu_study| | 2014-5-14 22:15 | 只看该作者
我也遇到过IS61LV51216 无法访问的问题 ，同样的程序 ，换了个 sram 就好使了 。

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19楼
15113484470| | 2015-11-15 23:38 | 只看该作者
我也遇到1M的SRAM不能读写，但不同的是，我用ISLV25616可以正常读写，换成ISLV51216就不对了，FSMC改不改都一样

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