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[电路/定理]

画了个单片机控制N MOS开关,不知道哪里有问题

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vio|  楼主 | 2020-9-19 09:30 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 vio 于 2020-9-19 09:30 编辑

这是一个通过单片机控制后端负载通断的电路。总感觉哪里不对,模电渣渣。然后网上说光耦驱动电流不够,我不是很懂,mos管是电压驱动器件,关电流啥事。

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zyj9490 2020-9-19 10:45 回复TA
因为CGS的电容存在,因此跟驱动电流有关,电流越大,充电越快。 

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沙发
Siderlee| | 2020-9-19 10:55 | 只看该作者
是你设计的驱动能力不够,因为串联的电阻太大;

关于MOS,确实是电压驱动型概念,但是开通和关断的瞬间就靠门级串联的电路限制电流的,你看看MOS的等效电路

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板凳
戈卫东| | 2020-9-19 11:59 | 只看该作者
如果是静态开关,这样用是可以的。
如果有开关速率需求,则电流可能不够。

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地板
vio|  楼主 | 2020-9-19 14:09 | 只看该作者
网上搜了一下确实驱动电流小的话会影响mos开关瞬间的速度,驱动电流相对大的话上升下降沿会陡,然后找到了一个专用驱动光耦,关键名字有意思TLP250特.朗.普贰佰伍

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戈卫东 2020-9-19 15:28 回复TA
特朗普没上台他们家的光耦就用这个前缀。。。 
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一事无成就是我| | 2020-9-19 22:13 | 只看该作者
为啥要电流,因为要给节电容充电呀,充放的越快,自然开关速率也就越快。充的慢,自然导通电阻就会从大到小变化,自然就出现了拖沓

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jazzyfox| | 2020-9-20 19:32 | 只看该作者
817有效导通,mcu需要输出的电流不小,这样不太合适

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vikey_zhu| | 2020-9-21 17:27 | 只看该作者
把电路改成这样。那个电阻用100R

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zyj9490 2020-9-24 16:58 回复TA
@zyj9490 :2.4 
zyj9490 2020-9-24 16:57 回复TA
次边电流最多给1.2MA左右。 
zyj9490 2020-9-24 16:56 回复TA
原边电流给得多,次边电流包和了,就不符合CTR比例关糸了,如BJT一样,基极电流即使大,IC电流也不会大了。 
zyj9490 2020-9-21 18:57 回复TA
驱动电流有点猛,次边绝对包和了。 
8
xxyyzz123| | 2020-9-21 19:59 | 只看该作者
本帖最后由 xxyyzz123 于 2020-9-21 20:15 编辑

光耦不是开关。电流转移比很小的。
现在国产垃圾替代817,转移比可能小于10%。
前向电流不到0.5毫安,转过去电流可能只有50微安,10K电阻上电压,不到1V,MOSFET开通不了。把R667改成100欧左右,保障电流有10毫安,估计就够了。也可以把817改用达林顿有源输出级的。就够了。老一点的芯片IO脚,都不能驱动5毫安电流。不过现在的CPU,一般都能驱动20毫安以内的电流,可驱动一般的LED二极管。如果驱动不了,只能再加一个三极管。
以手册指标为准吧。


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xxyyzz123| | 2020-9-21 20:07 | 只看该作者
本帖最后由 xxyyzz123 于 2020-9-21 20:24 编辑
vikey_zhu 发表于 2020-9-21 17:27
把电路改成这样。那个电阻用100R

你这个方法是最差

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15156889380| | 2020-9-24 16:21 | 只看该作者
光耦的IF和IC是有一个转移比CTR的,这个电路给的Vgs不一定能让mosfet导通。楼上说的“因为要给节电容充电呀,充放的越快,自然开关速率也就越快”我也是第一次听说,学习到了!

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稀饭放姜| | 2020-10-5 12:08 | 只看该作者
GND都一起了,要光耦干啥。负载端反向并联二极管。直接用三极管驱动电路驱动MOS

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12
vitohu| | 2020-10-9 14:01 | 只看该作者
稀饭放姜 发表于 2020-10-5 12:08
GND都一起了,要光耦干啥。负载端反向并联二极管。直接用三极管驱动电路驱动MOS ...

不考虑隔离,光耦在这里多余

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