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请教,如何用1到2个3.3V的IO控制15V 、0V、高阻的三态转换?

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楼主
ang629|  楼主 | 2012-1-18 15:53 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
lymex| | 2012-1-18 18:48 | 只看该作者
如果你能保证IO1和IO1的输出能不让短路,那可以通过两个电平转换电路直接驱动串联的PMOS和NMOS。
如果你保证不了,那还需要有个硬件的逻辑电路,使得无论IO1和IO2什么组合都不发生短路。

简单的方法也有,用三个三极管再加上一些电阻即可。

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ang629|  楼主 | 2012-1-19 09:14 | 只看该作者
2楼老兄,能否给个电路图看看,你这么说我也不明白

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地板
lymex| | 2012-1-19 17:59 | 只看该作者

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dontium| | 2012-1-27 20:46 | 只看该作者
参考MCU的IO口的设计方法,它的三态是怎么实现的就可以了

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xyz549040622| | 2012-1-27 22:46 | 只看该作者
用简单的线与可不可以

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ang629|  楼主 | 2012-1-29 11:02 | 只看该作者
多谢4楼这么详细的图,另外我还试了下用nmos管代替2n2222就不行了,当J1 =0,J2=1的时候,R1后面Q3基极是2.6V,应该是Q1位置的mos管里面的保护二极管导通引起的吧  不知道对不对?

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lymex| | 2012-1-29 15:53 | 只看该作者
用我的电路不改变参数是好用的吧?

用NMOS管替代2N2222基本上是不行的,一个是反向二极管,另外大多数MOS管的控制电压比较高,3.3V不够。能找到低压NMOS管的场合也要电路重新改动。

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ang629|  楼主 | 2012-1-29 16:43 | 只看该作者
你的电路我仿真是行的,过几天打个快速pcb做个板子调调看,应该没问题
你选用的三极管和mos管,好像都是大封装的吧,能不能用其他型号的sot-23封装的替换?我这开关速度和驱动电流要求都不是很高,我自己觉得三级管应该没什么要求吧,mos管主要是要求耐压高对吧?模电基础不扎实,很多问题可能想不周全。手头没现货,得考虑好再去买
另外,还要考虑到功耗,参数以尽量减小功耗为宜。

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lymex| | 2012-1-30 08:31 | 只看该作者
三极管没啥要求,随便常见的、通用的小功率NPN硅管都可以。
MOS管,基本上也是随便选,因为几乎任何MOS管耐压都是超过15V的。当然,其额定电流或者封装要看你的要求。
如果想功耗低点,把所有的电阻都加大到10k,甚至可以33k。

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ang629|  楼主 | 2012-2-7 16:46 | 只看该作者
lymex 兄, 这个电路我试了下,三极管我用的8050,pmos用的ss84,nmos用的2n7002,
发现个问题,我R1 R2 R5 接33k ,R3 R4 接100K的时候,上面的图J1 J2接3.3V高电平,则VDD端(3.3V)的电流有2MA多,VCC端(15v)电流约300uA,后者是对的,但是前者明显偏大。我又把所有的电阻都改成100k,VDD端的电流还是有约800uA, 按照参数计算,包括仿真都不会这么大,后来我又分开量J1 J2的电流,发现电流主要是J2这边的,但是流进Q2的电流被R2限流了 那只能是从Q1的发射极流到集电极了。这个是怎么回事呢 能否解释下?  用multisim仿真时,发射极也有向内部的电流,但是没这么大。我用的2n2222仿真的。这个有什么不同吗?

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lymex| | 2012-2-7 20:14 | 只看该作者
回楼上,这个属于我疏忽了,忘记了三极管的反向放大。所谓反向放大,就是E、C互换,三极管仍然有一些放大能力,即此时hEF并不是0,有时能达到几。正是这个反向放大能力,使得Vdd出现电流。

解决的方法也很简单,在Q1的基极上串联一个小硅二极管:



另外,R3和R4不宜选的太大,那样速度太慢了,MOS管的输入电容一般比较大。

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ang629|  楼主 | 2012-2-8 09:45 | 只看该作者
请问为什么要加到B极?这样还是有电流从E流到C啊。
我觉得是不是应该放到E极,使E极电流只能流出而不能流入,只是二极管的导通压降要小于Q3的BE开启压降

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lymex| | 2012-2-8 23:57 | 只看该作者
二极管放到B和放到E,都会起到相同的阻碍反向放大的作用。
但是,放到E,会让Q1失去作用,因为D1的正向压降会让Q3不能截止。

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ang629|  楼主 | 2012-2-9 09:53 | 只看该作者
放到B极是怎么阻碍反向放大的呢? B极的电流始终是向E或者C极流啊,放不放都一样啊!
没接这个二极管的时候我实测得电压是这样的:Q3的B极是0.7v,Q1的B极约1.3V.

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weilaiheike| | 2012-2-9 10:35 | 只看该作者
15# lymex
R5 D1 Q1组成的短路保护功能 在电路里是怎么工作的呀?

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lymex| | 2012-2-9 11:01 | 只看该作者
本帖最后由 lymex 于 2012-2-9 13:58 编辑

重新画了个电路如下,Q1改成了PNP管,3.3V通路全部经过电阻,如果不需要快速的话电阻可以取大,这样电流就很小了。

T1.gif (8.21 KB )

T1.gif

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lymex| | 2012-2-9 14:04 | 只看该作者
回15楼,Q1及附加部分不是保护用的,而是在J1=高、J2=低这种状态下,控制本来的Q5和Q4的同时导通用的,此时Q1导通,其C高电位,通过R6和R2分压后供给Q2以电流使得Q4截至。
在4楼电路的Q1集电极串联一个电阻是不行的,那个电路是让Q3截至,而串联了电阻是截至不了的。

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ang629|  楼主 | 2012-2-9 14:42 | 只看该作者
多谢lymex  你这么热情 实在令小弟感激不尽
后面这个电路我在研究研究 :)

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20
Xinyuee| | 2013-5-10 13:14 | 只看该作者
好多谢: Lymex 无私的解答。 只是:实际应用在超声探头的。
有个问题:  J2=3.3V , J1 接 40khz PWM, 3.3V  .  Q3 的集电极,出来波形失真严重。成了锯齿波。
怎么办。 此电路低速的 pwm 行。高速PWM就,不行。
Lymex, 给个 answer 呀

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