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求助:双向可控硅过零触发强度调节问题

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leshak|  楼主 | 2012-1-24 18:46 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
附件的图片是个很常见的双向可控硅的过零触发电路。470电阻和0.05uf电容组成移相网络,f=1/2*π*470*0.05 uf(这样算正确吧,对于50Hz的交流电来说好像移的角度也不大)
     我们公司的一个产品的线路和这个几乎一样,单片机有强度调节的功能。
我的疑问是,当我调节强度的时候,我测量MOC PIN2的波形,发现负向脉冲的幅度和脉宽几乎没什么变化,那如何实现调节可控硅的导通角呢?我示波器时间是在us级别测试的,难道要在ns级别嘛?
      还有那段英文里面的for subbing的意思是什么哦?
望各位指教,多谢!

2222.rar

31.02 KB

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沙发
hulx| | 2012-1-24 20:08 | 只看该作者
本帖最后由 hulx 于 2012-1-24 20:11 编辑



如果是过零触发,好像没有触发强度的概念吧!是控制导通时间长短,准确说是周波数。snubbing是缓冲。楼主概念有点混乱哦。

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板凳
NE5532| | 2012-1-24 22:28 | 只看该作者
呵呵,楼主确实完全没搞懂这堆电阻电容是怎么回事。 东西太多了,三言两语给楼主说不清楚,楼主还是先看下我的附件吧,然后我们再讨论。

AN-3008.pdf (930.56 KB)
闸流管和双向可控硅应用的十条黄金原则(中文PDF).pdf (599.21 KB)

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地板
NE5532| | 2012-1-24 22:29 | 只看该作者
另外楼主也没搞清楚“可控硅调相”是怎么回事,建议先Google一下。

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5
leshak|  楼主 | 2012-1-24 22:35 | 只看该作者
谢谢,万分感谢!我会好好学习。

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6
chunyang| | 2012-1-24 22:41 | 只看该作者
楼主确实应该先弄清楚可控硅工作及调相的原理,简单说,过零之后的触发点不同,导通角就不同,负载上得到的等效电压就不同。

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7
小鱼儿1045| | 2012-1-27 20:08 | 只看该作者
过零点后延时一段时间触发,可以改变功率,延时的多少就是你改变功率的多少,但是也不是线性关系!

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8
chunyang| | 2012-1-27 20:38 | 只看该作者
当然不是线性的,交流电是正弦波。

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9
原野之狼| | 2012-1-29 00:12 | 只看该作者
这是一个触发电路  还需要一个同步电路

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10
chjmacong| | 2012-1-29 10:21 | 只看该作者
楼主的基础比较薄弱,建议先看下双向可控硅的原理,T1,T2,G,
然后再看一下带过零检测的光耦如何配合可控硅实现交流导通的。
这两个问题搞清楚了,楼主的问题也就解决了

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11
ahljj| | 2012-2-1 16:22 | 只看该作者
看看。。。。

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12
leshak|  楼主 | 2012-2-1 18:21 | 只看该作者
了解了,470欧和0.05uf电容组成低通滤波。39欧和0.01uf组成缓冲电路,缓冲dv/dt,防止切换阶段误触发。
所谓的过零触发,只是CPU去检测过零的次数,然后CPU根据检测的次数去发出延迟的控制信号去调正弦输入信号,导通角的不同导致输出电压不同。

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