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AFGHL75T65SQDx场终止沟槽型IGBT,低能耗高功效

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Vauseman|  楼主 | 2020-10-10 16:48 | 显示全部楼层 |阅读模式
最近安森美半导体新推出了一款AFGHL75T65SQDx场终止型沟槽IGBT,不仅可以为汽车应用中的硬开关和软开关拓扑提供最佳性能,同时还拥有极强的性能优势,如密集参数分布、快速开关以及低导通损耗等特性。此外,它还采用了场终止第4代高速IGBT技术,符合AEC-Q101标准,AFGHL75T65SQDx场终止型沟槽IGBT零件100%经过ILM测试,拥有1.6VCE(Sat)低饱和电压(IC=75A时),最高结温175°C,它的输入电流75A,输入电压650V,可以提供更高的可靠性。除了汽车应用外,还可以应用在其他方面,包括PFC、直流-直流转换器、xEV车载和非车载充电器以及工业逆变器等。

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xyz549040622| | 2020-10-23 10:58 | 显示全部楼层
支持下,谢谢分享!

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aoyi| | 2020-11-9 08:52 | 显示全部楼层
楼主用过了吗

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drer| | 2020-11-9 08:52 | 显示全部楼层
价格怎么样 贵吗

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gwsan| | 2020-11-9 08:52 | 显示全部楼层
不知道供货稳定不稳定

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kxsi| | 2020-11-9 08:54 | 显示全部楼层
非常不错的芯片啊 性能很好

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airwill| | 2020-11-11 21:51 | 显示全部楼层
1.6VCE(Sat)饱和电压, 确实比较低的,  支持一下

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