MSP430 Flash 问题

只看该作者 · 2012-1-28 00:51

msp430 flash 的Main memory(64Kbyte) 即可以存代码，又可以做为eeprom使用，我怎样才能知道哪个地址里面存的是代码，哪个地址里面是我当做EEPROM可以使用的呢？我在写程序的时候，该怎样去指定地址？请高手指点下。谢谢！

只看该作者 · 2012-1-28 00:58

一般注存储器存放代码，信息存储器可当做EEPROM存放数据。
楼主可以自己定义要存放的地址。

只看该作者 · 2012-1-29 11:50

本帖最后由 TI_MCU 于 2012-1-29 11:51 编辑

不知道楼主用的什么器件，但下面这幅MSP430x1xx系列的图应该可以说明问题：

在430里面，flash地址分为主存(main memory)和信息内存(information memory)两块，其中信息内存主要被用来存放信息。二者只是地址不同，使用起来没有区别。

建议楼主使用器件手册中指定的information memory地址范围存储数据

只看该作者 · 2012-1-29 14:48

自定义存放代码的地址就要通过修改Linker文件来进行了！
或者CCS下的CMD文件。

只看该作者 · 2012-1-29 15:48

我们平时所说的FLASH用来当EEPROM用，实际上FLASH是不能完全替代EEPROM的，只是用软件来处理可以让外部看起来像是一个EEPROM的区域。
1. 之前由于FLASH的擦写次数不够多，早起的FLASH只能擦写1000次，所以经常要改写的数据就需要保存在EEPROM中。
2. 现在FLASH的擦写普遍可以达到1W-10W次，所以我们就有了这种可能，用FLASH来保存需要经常改写的数据。
3. 由于FLASH的特性，我们在对数据进行改写的时候，必须先对整页进行擦除然后在字节写，所以，当我们更改FLASH的数据时，一般是先把该页数据读到缓存里，更改指定位置数据，然后擦除该页的FLASH，在进行写操作。
4. 而EEPROM却不存在这个操作，它支持字节的擦除和写操作，所以可以对任意位置的数据改写。
5. 为了让FLASH更方便地使用，MSP430提供一个INFO FLASH的区域，改区域的一个页面大小较小(64、128字节),这样我们使用该区域模拟EEPROM的时候，需要的缓存就小，页写的时间也大大缩小。
6. 如果不使用INFO FLASH区域，改区域也可以用做代码区使用。

只看该作者 · 2012-1-29 16:00

信息存储器可当做EEPROM存放数据。

只看该作者 · 2012-1-29 17:00

修改Linker文件

只看该作者 · 2012-1-29 17:06

由于FLASH的特性，我们在对数据进行改写的时候，必须先对整页进行擦除然后在字节写，所以，当我们更改FLASH的数据时，一般是先把该页数据读到缓存里，更改指定位置数据，然后擦除该页的FLASH，在进行写操作。

只看该作者 · 2012-1-29 18:41

1# jinpaidianzi 自定义存放代码的地址就要通过修改Linker文件来进行或者CCS下的CMD文件。

只看该作者 · 2012-9-1 09:18

4# teabottle
怎么修改linker文件啊！求详解，或者有哪个帖子有说明的吗！
本人正在做这块，实在不清楚，请赐教啊！

只看该作者 · 2012-9-1 14:39

如果觉得修改LINKER文件有困难，也有一种方法可以安全地使用MAIN FLASH区。在IAR的OPTION勾选生成MAP文件，MAP文件里可以看到当前程序编译后的大小，complier一般会从低地址向高地址生成HEX文件，比如MCU的FLASH大小为32K，MAP中CODE区（即代码区）大小为15K，为了日后程序代码增加，可把前20K假设为应用程序占用的区域，后12K做为用户数据保存区，FLASH的读写API只访问后12K的地址空间即可，这种不修改LINKER文件的方法，需要随时关注程序是否超过了20K的范围，如果超过则用户数据区就要后移，不然FLASH写API会破坏程序。

MSP430 Flash 问题

相关下载

相关帖子

TI