MOS管H桥电路问题讨论
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xiaoyuanguo
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@zlf1208 :这个触发器保护确实挺好用,3.3Vmcu的PWM信号还可以正好利用7402转成5V驱动MOS;我准备在产品上试了。我电源是24V的,上管只能电阻分压成12V,PWM调速时上管开关损耗大,分压电阻改小功耗又大了,确实只有在R24和R25前面加个4148,后面对地加个104电容组成低通让上管常开,还能慢衰减续流,这样就比较完美了。唯一要注意就是切换时死区要拉长保证上管已经关闭。。。
xiaoyuanguo
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@zlf1208 :我现在希望电机工作在慢衰减模式下,因为慢衰减低速时电流波动较小不会出现低速转不动的情况。我想了下,你这幅图里我在R24和R25前面加个4148,后面对地加个104电容组成低通,让上管常开,好像就能实现慢衰减了。
xiaoyuanguo
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@zlf1208 :MOS是工作在开关状态呀;我意思是PWM调速时,PWM每个周期的低电平时候,这种对角线控制方法是四个MOS全关的,这时候电感续流流向电源,电流降低很快,属于快衰减;还有一种方法就是PWM每个周期低电平时开两个下管,电机绕组处于短路状态,电感电流相比4管全关时会衰减的比较慢,这种叫慢衰减。
zlf1208
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@xiaoyuanguo :在驱动电机时MOS管都工作在开关状态,PWM波本身也是开关二个状态,如果MOS管不工作在开关状态,发热烧毁的很容易的,所以不知道你想怎么做,能说具体点吗?
xiaoyuanguo
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您好,我想问下,这种对角线的控制方式,只能工作在快衰减方式下吧(就是PWM的低电平时关闭全部MOS电,流通过续流二极管流向电源),快衰减模式调工作在PMM状态下性能不是很好;可以想办法改成慢衰减吗 | |
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死区时间设置的对不对?推荐一个mosfet 半桥驱动 IRS2183 / 峰岹科技的 gate driver产品,自带死区保护