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[电子元器件]

这个MOS是怎么实现降压的?

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楼主
xilibubo2|  楼主 | 2020-10-14 17:34 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
叶春勇| | 2020-10-14 18:42 | 只看该作者
g为13v,s在短暂的瞬间为0,根据nmos导通条件为大于vth,nmos的ds导通,然后r1有电流流过,产生压降。s电位上升,vgs压差变小,导致nmos导通下降。经反复调整,vgs保持在近似vth值

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叶春勇 2020-10-14 21:12 回复TA
@xilibubo2 :量vg电压和vgs不一样,vgs是vg扣掉r1电阻电压 
xilibubo2 2020-10-14 19:57 回复TA
这里实际电路测试我用高于mos 最大Vgs的值,都没有弄坏,比如VGss是20V,我用40V都没弄坏 
板凳
戈卫东| | 2020-10-14 19:28 | 只看该作者
本来它应该是个源极跟随器,但负载电阻太大,MOS管的漏电流导致负载电压高于源极跟随器输出电压。。。

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地板
coody| | 2020-10-14 20:59 | 只看该作者
你把R1改为5.1K看看

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airwill| | 2020-10-15 21:13 | 只看该作者
保持在 G S 的开启电压下,  才能维持放大状态

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