不知道如果去擦写这些高位空间

发表于 2020-10-20 21:42

原来是用的MSP430F249，后来空间不够了改用F2416，但是地址》0xFFFF的高位空间，不知道如果去擦写这些高位空间。

发表于 2020-10-20 21:49

如果我要对0x13000这个地址的扇区进行擦写操作的话，总是不成功。

发表于 2020-10-20 21:52

楼主程序可以公开吗？贴程序看下吧，这么说看不出什么原因

发表于 2020-10-20 21:59

void Test_WriteFlash(void)
{
U16 i;
char* pdb;

WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD;

//second segment
pdb = (int *)FLASH_TEST;
FCTL3 = FWKEY; //clear lock bit
FCTL1 = FWKEY + ERASE; //set erase bit

*pdb = 0;
FCTL1 = FWKEY + WRT; //dummy write
while ((FCTL3 & BUSY) > 0);
*pdb = 0x55;

//-- disable flash write
FCTL1 = FWKEY;
FCTL3 = FWKEY + LOCK;

}

当#define FLASH_TEST 0x2000时，能够把0x2000地址的扇区删除并对第一个字节写入0x55.

当#define FLASH_TEST 0x13000时，对0x13000地址的操作则无法成功。

发表于 2020-10-20 21:59

还是多测试擦出几次的吧，擦出的时候注意电源的就可以的啦

发表于 2020-10-20 22:02

还有单片机里面的擦出是按照sector单元擦除的，主要擦出的sector的首地址的选取的

发表于 2020-10-20 22:08

注意IAR软件里的配置，不是程序的问题

发表于 2020-10-20 22:11

为什么要擦除这些空间呢？

发表于 2020-10-20 22:15

楼主擦除成功了吗多测试擦出几次

发表于 2020-10-20 22:18

主要是sector的首地址的选取

发表于 2020-10-20 22:20

注意IAR软件里的配置，不是程序的问题

发表于 2020-10-20 22:27

为什么要擦除这些空间呢？

发表于 2020-10-20 22:31

如果不是单独操作flash，在编译器配置里选择large模式就可以了

发表于 2020-10-20 22:34

不是一段一段的擦除的吗

发表于 2020-10-20 22:37

正常烧写程序的话还用咱们操心烧写的事情吗

发表于 2020-10-20 22:43

是不是被写保护了啊

发表于 2020-10-20 22:47

是不是时钟不稳定啊

发表于 2020-10-20 22:50

嗯，我再好好缕一缕吧，有了好消息及时通知大家

[STM32F1] 不知道如果去擦写这些高位空间

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