本帖最后由 421108375 于 2020-10-22 09:01 编辑
搭了个 自举升压电路驱动NMOS,如下图,电压升起来没毛病但是接上负载NMOS之后电压立刻下降的厉害,负载能力太弱,请各位大佬帮忙分析下,
具体说明下 R79按照图中接100k的话电压就变成28左右了,换300多k的电阻好点,但是始终到不了预想的值,NMOS虽然打开了,但感觉处于非完全导通状态,电流比较大,觉得不靠谱, 换过C43 C44效果不明显,提高过方波频率,效果也不明显,各位大佬给分析下支个招看看是哪儿出问题了 或者是否有更靠谱的电路指导分享下,小弟感激不尽!!! 后端NMOS的Qg确实有点大,但是我这个NMOS只是作为一个大电流电子开关作用,基本打开就不关闭了,而且后端大功率负载是受控的,可以等NMOS慢慢打开电源正常之后 在工作的 |
@421108375 :这个电路的核心是要提高C43运送电荷的能力
@421108375 :这个电路是要用100nF的电容把电荷泵送到1uF(是100nF的十倍),在泵送期间,电容C43的充电由Q20完成,是低阻的,这样充电就很快,而泵送(相当于C43放电)的时候是通过电阻R64的,R64阻值大限制了C43的放电能力。所以按照上面电路图的参数,要给C44泵送电荷,C43=100nF是偏小的,而R64=100K是太大了
@421108375 :R64太大,Q20关断后C43下端并不会抬升多少电压,C43放电时由于R64限流了,维持不了负载R79的消耗;
@421108375 :R64大是相对于负载来说的(R79),就像wh6ic的图,R01/4.7k相对R02/1M;
@sjnh :你好,R64比较大为何会影响自举能力, 我的理解是R64仅仅只是给C43的下端提供一个电压值,利用C43电压无法突变的性质来强行抬升C43上端电压, 对后端负载的能量是在Q20导通的的时候C43储存的能量,我这样的理解有什么问题嘛
@zlf1208 :同意,出问题应该就是R64太大了,基本没有自举的能力了
同时将R64改小
将Q18DS短路,去掉Q19就行了