[电子元器件] 为什么使晶体管的频率特性拓展至极大,需要将发射极电...

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 楼主| kafenwong 发表于 2020-10-31 11:18 | 显示全部楼层 |阅读模式
就是画线的第一句 我不太懂 那位大神能不能解答一下

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jz0095 发表于 2020-10-31 12:39 | 显示全部楼层
本帖最后由 jz0095 于 2020-11-5 05:36 编辑

我回答一下划线部分的问题。

1. 在正常偏置下,器件的增益随电流的增大而提高,但是也要适可而止。电流大到一定程度后,增益的增加就不明显了。电流加大会导致器件发热,发热过高会导致电路不稳定,或者器件过热被烧毁。因此,器件的安全性不允许偏置电流过大。

2. 使用小电容不是因为容抗更低,相反,容抗与容量是反比关系。大、小容量电容使用的会是不同的介质,小电容的介质损耗低,Q值高。因此,在容抗适合的情况下选用小电容为好。
   既使是相同材料的电容,容量大的谐振频率(串联谐振频率)低,高于谐振频率,电容电抗将成为感性。

一个现象:在电源旁路电容的安排上,常见大小容量电容并联使用。
思考题:1.什么原理? 2. 如果只能放在电源端同侧,大小电容在电路上的位置应该怎样安放,即哪个需要靠近电源端?
xukun977 发表于 2020-10-31 13:13 | 显示全部楼层
本帖最后由 xukun977 于 2020-10-31 13:16 编辑

















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H572 发表于 2020-11-10 11:17 | 显示全部楼层
电流大,可以快速把结电容充满电。
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