《涨知识啦23》—— SBD的电流输运机制
大家好，本周小赛给大家介绍的是《涨知识啦》系列内容：肖特基势垒二极管(SBD)基本的电流输运机制。
图1展示了SBD外加正向偏置时，器件内部的能带及载流子输运机制。其中，编号1-5分别为：
1. 热激发电流 （半导体一侧的电子跨过势垒进入金属）
2. 隧穿电流 （电子隧穿通过势垒）
3. 复合电流 （耗尽区中的电子空穴发生复合）
4. 电子扩散流 （耗尽区中的电子扩散）
5. 空穴扩散流 （耗尽区中的空穴扩散）
图1正向偏置时，SBD内部能带及载流子输运分布示意图。
图2展示了SBD外加反向偏置时，器件内部的能带及载流子输运机制。其中，编号1-2分别为：
1. 热激发电流（金属一侧的电子跨过势垒进入半导体）
2. 空间电荷区产生电流
图2反向偏置时，SBD内部能带及载流子输运分布示意图。
以上就是SBD基本的电流输运机制的全部内容，欢迎大家一起交流讨论！
参考文献：
[1] Sze, S. & Ng, K.K.. (2006). Physics of Semiconductor Devices: Third Edition. Physics of Semiconductor Devices: Third Edition. 10.1002/9780470068328.
[2] Baliga, B. J. (2008). Fundamentals of Power Semiconductor Devices.
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