82G516在3.3V下能否实现掉电存参数到内部flash的功能?

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 楼主| zhanglli 发表于 2020-11-3 21:07 | 显示全部楼层 |阅读模式
82G516在3.3V下能否实现掉电存参数到内部flash的功能?
lium 发表于 2020-11-3 21:12 | 显示全部楼层
应该能把
 楼主| zhanglli 发表于 2020-11-3 21:19 | 显示全部楼层
我试着写了下程序,没实现,记得以前我试验成功过,不知是偶然还是什么
guoyt 发表于 2020-11-3 21:25 | 显示全部楼层
楼主程序可以公开吗?贴程序看下吧,这么说看不出什么原因
 楼主| zhanglli 发表于 2020-11-3 21:28 | 显示全部楼层

EVRCR=0x40;    //使能3.3V掉电中断

/**********************************************************/
/* 功能:    掉电数据存储                             */
/* 入口参数:无                                           */
/* 出口参数:无                                           */
/**********************************************************/
void LVD_int() interrupt 11                    //VecAddr0x5B
{
// EA=0;
P4=0x0f;//关数码管
if ((EVRCR&0x10)>0)//游戏中保存数据,否则不保存数据
{
    IAP_Page_Erase_LD(IAP_Start_Addr);
    IAP_Write_Block_LD();
}
}
hanwe 发表于 2020-11-3 21:33 | 显示全部楼层
MPC82G516的IAP操作,需要确保芯片的工作电压在2.4V以上
yufe 发表于 2020-11-3 21:38 | 显示全部楼层
嗯,如果等到电压降到2.4V才去操作IAP储存参数,这样在有可能电压不足2.4V的情况下,有丢失IAP数据的风险。
llia 发表于 2020-11-3 21:42 | 显示全部楼层
EVRCR=0x40;的设定是,芯片低于2.4V时候,才会产生低电压中断。
wangpe 发表于 2020-11-3 21:47 | 显示全部楼层
LZ的系统工作在5V吗?
langgq 发表于 2020-11-3 21:51 | 显示全部楼层
是啊,在5V吗?
 楼主| zhanglli 发表于 2020-11-3 21:54 | 显示全部楼层
yufe 发表于 2020-11-3 21:58 | 显示全部楼层
建议设置EVRCR=0x80
wangpe 发表于 2020-11-3 22:04 | 显示全部楼层
系统电压低于3.7V就产生中断,准备将数据储存到IAP。
 楼主| zhanglli 发表于 2020-11-3 22:07 | 显示全部楼层
是3.3V,这种情况下是不是没有办法了?
zhuww 发表于 2020-11-3 22:13 | 显示全部楼层
我加一掉电检测电路接到中断上应该可以吧?不知有没有合适的掉电检测电路。
wangzsa 发表于 2020-11-3 22:17 | 显示全部楼层
加一掉电检测电路接到中断上应该可以吧?
langgq 发表于 2020-11-3 22:27 | 显示全部楼层
不知有没有合适的掉电检测电路。
wangpe 发表于 2020-11-3 22:31 | 显示全部楼层
可以加掉电检测电路并且接到外部中断上。
llia 发表于 2020-11-3 22:36 | 显示全部楼层
网上有一些掉电检测电路
yufe 发表于 2020-11-3 22:45 | 显示全部楼层
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