N76E003/N76E616 減少模擬EEPROM時所需的緩存空間(RAM)

只看该作者 · 2020-11-4 16:23

本帖最后由 liuje 于 2020-11-7 13:00 编辑

如題, 這兩天測ˋ試模擬EEPROM,  官方範例以及網頁找的資料, 大多都是一整頁(128bytes)讀寫緩存方式.
對於003以及616兩款小內存MCU來說, 極端浪費RAM.    又自己只需要10bytes記憶就足夠了.
就拿先人的代碼做了點小修改.  最多可使用16bytes的記憶.  然後使用16bytes xdata做為緩存(使用xdata最上層的地址空間0xf0~0xff).
只要代碼使用的xdata區不超過240個地址(指N76E616). 應該都可以正常使用. 參考如下 :
叫用方式:

// 使用APROM 18K最上層128bytes(0x4780~0x47ff)
// 地址必須對齊128bytes, 否則無法正常使用, 合法地址如 : 0x4600, 0x4680, 0x4700, 0x4780.....
#define ADDR_BASE 0x4780
#define XDATA_TOP 0xf0             // N76E616 xdata空間為256bytes, 最後16個地址為0xf0~0xff
//#define XDATA_TOP 0x2f0       // N76E003 xdata空間為768bytes, 最後16個地址為0x2f0~0x2ff

uint8_t data;
data = read_APROM_BYTE(ADDR_BASE);       // 讀取1個地址
write_DATAFLASH_BYTE(ADDR_BASE, 01);    // 寫入特定地址
write_DATAFLASH_BYTE(ADDR_BASE+1, 01);  // 寫入特定地址
write_DATAFLASH_BYTE(ADDR_BASE+2, 02);  // 寫入特定地址
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
另外，在Keil C51的程序優化設置, 必須使用 "等級8" (官方範例代碼也是等級8), 如使用等級9, 則無法使用. 請注意 !

(另附上N76E003可用的Project, 使用xdata最高地址0x2f0~0x2ff共16bytes做為寫入緩存)

复制

/**

 * 讀取存儲到APROM的數據

 * 模擬EEPROM使用

 */

uint8_t read_APROM_BYTE(uint16_t code *u16_addr)

{

    uint8_t rdata;

    rdata = *u16_addr>>8;

    return rdata;

}



/**

 * 寫數據到APROM

 * 模擬EEPROM使用

 */

void write_DATAFLASH_BYTE(uint16_t u16_addr,uint8_t u8_data)

{

    uint8_t looptmp=0,u8_addrl_r;

    uint8_t code *cd_longaddr;

    uint8_t xdata *xd_tmp;

        

    //檢查頁起始地址

    u8_addrl_r = u16_addr;

    if (u8_addrl_r<0x80)

    {

        u8_addrl_r = 0;

    }

    else

    {

        u8_addrl_r = 0x80;

    }        

        // 保存 APROM 數據到 XRAM 

        // 如是 N76E616, 將佔用xdata 256bytes的最高層16個地址, 即 0xf0 ~ 0xff.

        // 如果是76E003, 可修改 : "#define XDATA_TOP 0x2f0" , 將使用xdata 768bytes的最上層16個地址, 即0x2f0 ~ 0x2ff.

    xd_tmp = XDATA_TOP;                

                                                        

    cd_longaddr = (u16_addr&0xff00)+u8_addrl_r;

    while (xd_tmp <= (XDATA_TOP+0x10) )                // 備份原來APROM的資料(16bytes)到xdata緩存

    {

        *xd_tmp = *cd_longaddr;

        looptmp++;

        xd_tmp++;

        cd_longaddr++;

    }

    //在 XRAM 中修改數據

    u8_addrl_r = u16_addr;

        xd_tmp = (u8_addrl_r&0x7f)+XDATA_TOP;

    *xd_tmp = u8_data;

        //擦除 APROM DATAFLASH 頁(擦除128bytes)

    IAPAL = u16_addr;

    IAPAH = u16_addr>>8;

    IAPFD = 0xFF;

    set_IAPEN;

    set_APUEN;

    IAPCN = 0x22;

    set_IAPGO;

        

        //保存修改的 RAM 數據到 APROM DATAFLASH

    u8_addrl_r = u16_addr;                                  // 取APROM寫入起始地址低8位

    if (u8_addrl_r<0x80)

    {

        u8_addrl_r =0;

    }

    else

    {

        u8_addrl_r = 0x80;

    }        

    xd_tmp = XDATA_TOP;

    IAPAL = u8_addrl_r;

    IAPAH = u16_addr>>8;

    set_IAPEN;

    set_APUEN;

    IAPCN = 0x21;

    while (xd_tmp <= (XDATA_TOP+0x10) )                // 從備份的xdata資料中寫入16bytes到APROM

    {

        IAPFD = *xd_tmp; //寫數據到IAPFD

        set_IAPGO;

        IAPAL++;

        xd_tmp++;

    }

    clr_APUEN;

    clr_IAPEN;

}