保存和重新写

只看该作者 · 2012-2-4 10:21

如何掉电时保存RAM数据到类EEPROM，上电后根据情况重新写入RAM

2万 · 2012-2-4 10:23

楼主可以详细说说

只看该作者 · 2012-2-4 10:26

设计一款外贸产品，本来是用166芯片掉电模式，但是由于该芯片功耗较大，只能支持15秒左右，外贸产品，对掉电时间有要求，需要7分钟以上，于是外置了电容电路，根据重新上电电容残留电量检测AD值判断掉电时间，当在掉电时间内，重新恢复到原先状态

当检测不到几个过零点后，判断出掉电，迅速把RAM数据保存在类EEPROM里

只看该作者 · 2012-2-4 10:29

以下是部分程序，就是不知道这个保存和重新写回怎么操作，望高手解答

/*---------------------------------------------------------------------------
;EraseFlash
;erase the whole sector of Flash ROM
;--------------------------------------------------------------------------*/
      EA = 0;             //step 1 ,关闭中断
      FLASHCON |=0x01;       //选择类EEPROM

      XPAGE       = 0x03;       //step 2 ,设置擦除的扇区3

      IB_CON1       = 0xE6;       //step 3,设置擦除操作
      IB_CON2       = 0x05;       //时序的要求，固定不变
      IB_CON3       = 0x0A;       //时序的要求，固定不变
      IB_CON4       = 0x09;       //时序的要求，固定不变
      IB_CON5       = 0x06;       //时序的要求，固定不变

      _nop_();             //step 4,进入擦除状态
      _nop_();
      _nop_();
      _nop_();
      //---------------------------------------

      XPAGE       = 0x00;       //step 7,清零页寄存器
      FLASHCON &=0xFE;       //退出类EEPROM
      EA = 1;                      //恢复中断
/*---------------------------------------------------------------------
;write EEPROM
;----------------------------------------------------------------------*/
      EA = 0;                      //step 1 ,关闭中断
      FLASHCON |=0x01;       //选择类EEPROM

      XPAGE       = 0x03;       //step 2 ,设置写的扇区3
      IB_OFFSET= 0x00;       //设置写的地址，范围00-255

      // IB_DATA       = 0x88;       //step 3，设置写的数据

      这里要写RAM到EEPROM 请问怎么写

            IB_CON1       = 0x6E;       //step 4,设置写操作
      IB_CON2       = 0x05;       //时序的要求，固定不变
      IB_CON3       = 0x0A;       //时序的要求，固定不变
      IB_CON4       = 0x09;       //时序的要求，固定不变
      IB_CON5       = 0x06;       //时序的要求，固定不变

      _nop_();             //step 5,进入写状态
      _nop_();
      _nop_();
      _nop_();
      //---------------------------------------

      XPAGE       = 0x00;       //step 8,清零页寄存器
      FLASHCON &=0xFE;       //退出类EEPROM
      EA = 1;                      //恢复中断

/*---------------------------------------------------------------
;read EEPROM mode1 读类EEPROM方法
;-----------------------------------------------------------------*/
这里要恢复RAM，怎么写

2万 · 2012-2-4 10:31

unsigned char i;
      XPAGE       = 0x03;       //step 2 ,设置写的扇区3
      IB_OFFSET= 0x00;       //设置写的地址，范围00-255
      //假设你的ram是一个数组，temp[6]
      for(i=0;i<6;i++)
{
      IB_DATA = temp[ i ];//
      // IB_DATA       = 0x88;       //step 3，设置写的数据

      // 这里要写RAM到EEPROM 请问怎么写

            IB_CON1       = 0x6E;       //step 4,设置写操作
      IB_CON2       = 0x05;       //时序的要求，固定不变
      IB_CON3       = 0x0A;       //时序的要求，固定不变
      IB_CON4       = 0x09;       //时序的要求，固定不变
      IB_CON5       = 0x06;       //时序的要求，固定不变

      _nop_();             //step 5,进入写状态
      _nop_();
      _nop_();
      _nop_();
      //---------------------------------------
   IB_OFFSET++;
   }
      XPAGE       = 0x00;       //step 8,清零页寄存器
      FLASHCON &=0xFE;       //退出类EEPROM
      EA = 1;                      //恢复中断

只看该作者 · 2012-2-4 14:44

//恢复ram 到temp[6]
FLASHCON = 1;
for(i=0;i<6;i++)
{
temp[ i ] = XBYTE[768+i]; // 在eeprom的 page3;
}
FLASHCON = 0;

2万 · 2012-2-4 14:47

你的程序里面有擦除，写入指令，在极端情况下（强干扰或者手摸晶振）搞不好会程序跑飞掉，将code擦除，可以在程序内部增加一个判断寄存器，判断程序是否正常进入了烧写或者擦除子程序。

只看该作者 · 2012-2-4 14:48

是的，并且最好将LVR打开。

只看该作者 · 2012-2-4 14:52

多谢，但是如果不是数组，是很多变量，把128byte的ram空间几乎用完了，怎么简单设置全部读取，保存呢

2万 · 2012-2-4 14:55

只能一个一个写入了，没有什么办法了。可以使用XDATA

2万 · 2012-2-4 14:57

用AD判断估计没几个MCU可以达到你的要求。

只看该作者 · 2012-2-4 15:00

多谢各位，明白了

只看该作者 · 2012-2-4 15:00

结贴了