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MOS降低发热功耗 除了并联 还有其他的方法不？电流是不...

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QWE4562009|  楼主 | 2020-11-23 11:56 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS, 并联, 电流, 开关, 开关速度
#技术资源#MOS降低发热功耗  除了并联 还有其他的方法不？电流是不能变的。并联虽然内阻可以减小，不过好像会影响同步的开关速度。不同步开关的话MOS可能就烧了

MOS降低功耗.jpg (313.6 KB )

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沙发
tyw| | 2020-11-23 12:02 | 只看该作者
本帖最后由 tyw 于 2020-11-23 12:50 编辑

IPT007N06N.pdf (1.21 MB)


超低导通内阻MOS.pdf (1.57 MB)
英飞凌全系列MOS选型表.pdf (755.48 KB)
英飞凌高可靠性低压电机驱动.pdf (7.11 MB)

https://item.taobao.com/item.htm ... p;abbucket=4#detail


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板凳
QWE4562009|  楼主 | 2020-11-23 18:08 | 只看该作者
tyw 发表于 2020-11-23 12:02
https://item.taobao.com/item.htm?spm=a230r.1.14.23.3a673d47hdXK39&id=608873362795&ns=1&abbuck ...

这种贵得要死 而且很多假货  

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zlf1208 2020-11-24 13:44 回复TA
4.5元肯定是假的 
地板
cctv19881023| | 2020-11-24 14:08 | 只看该作者
一般100A以下可以用MOS并联来做，超过100A最好用大电流接触器

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5楼
QWE4562009|  楼主 | 2020-11-25 18:08 | 只看该作者
cctv19881023 发表于 2020-11-24 14:08
一般100A以下可以用MOS并联来做，超过100A最好用大电流接触器

继电器？

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6楼
wh6ic| | 2020-11-26 09:14 | 只看该作者
MOS 管没有那么脆弱，适当的不同步，不会破坏先导通、后关断的 MOS
比如 图示的 MOS 管，标称是75A的，它可以承受一次 10uS 300A 20V (= 10uS 6千瓦 = 60毫焦耳)的短时冲击、或者一次 100uS 200A 10V (= 100uS 2千瓦 = 0.2焦耳) 中等时间冲击
普通的 驱动电路，并联驱动若干 MOS 管，不同步时间 做到 1uS 以内应该是很简单的事情

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