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落伍了, SDRAM中precharge是干什么的?

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wh6ic|  楼主 | 2009-6-2 14:17 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
来自 2楼
tyw| | 2009-6-2 15:27 | 只看该作者

参考一下


 
http://www.haoxiai.net/diannaoweixiu/ruanjianjichu/107227.html
SDRAM RAS Precharge Time(内存行地址选通脉冲预充电时间)可选项:2,3。该参数可以控制在进行SDRAM刷新操作之前行地址选通脉冲预充电所需要的时钟周期数。将预充电时间设为2可以提高SDRAM的性能,但是如果2个时钟周期的预充电时间不足,则SDRAM会因无法正常完成刷新操作而不能保持数据。

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agwtpcbox| | 2009-6-2 14:18 | 只看该作者

等春杨

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eastbest| | 2009-6-2 17:08 | 只看该作者

precharge就是把所有的列充放电至1/2Vcc

附件是我以前写的一个简单小结,希望对你理解precharge有帮助!
相关链接:https://bbs.21ic.com/upfiles/img/20096/20096217254732.pdf

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McuPlayer| | 2009-6-2 17:19 | 只看该作者

去网上搜索下,看看SRAM和DRAM的区别

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wh6ic|  楼主 | 2009-6-2 18:02 | 只看该作者

呵呵,基本明白了,多谢各位热情指导。

  看PDF时不明白它搞个AutoPrecharge操作干什么,原来与基本电路定时有关。俺读书那阵256Kbits的dram才出来不久,没有比较现代的高速SDRAM。其实俺操作时将SDRAM RAS Precharge Time(内存行地址选通脉冲预充电时间)选为 3 基本就不用考虑这个操作了,或者俺操作时钟频率比较低的时候选为 2 也没什么大问题。  再次多谢各位帮忙解决一个疑难问题。

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