人们日益重视电子产品在静电释放（ESD）情况下的可靠性。 在IC芯片制造间、电路板安装车间以及工作现场，ESD对终端产品的长效功能始终存在威胁。
ESD不同于其他常见的过压事件（开关和瞬态浪涌），因为发生ESD时，电流和电压从零变为最大值的时间非常短暂。 ESD事件的上升时间短于1纳秒，而其他瞬态现象中达到峰值的时间则长于1微妙。
由于电压和电流的应力增加，用户造成的ESD事件可能引起IC的电气扰乱或彻底损坏。 通常采用抑制类产品来提高IC对用户造成的ESD事件的耐受性。 这些装置强化了IC板载ESD的能力，因此中断产品即使在严重的静电放电情况下也依然可以可靠地发挥作用。
因为所有设备和电路都有所不同，所以无法使用单一的瞬态电压抑制技术来解决所有问题。 瞬态电压抑制器需要考虑的一些重要因素（因采用的技术而异）包括电容、泄露电流、箝位电压和封装外形。为使电路设计师找到与其设计电路的特征最匹配的抑制方案，并生产了反应速度快（小于1ns），电容值低，体积小，集成度高，封装多样化，漏电流低的瞬态抑制功能强大的ESD静电二极管。
ESD静电二极管并联于电路中，当电路正常工作时，它处于截止状态 （高阻态），不影响线路正常工作，当电路出现异常过压并达到其击穿电压时，它迅速由高阻态变为低阻态，给瞬间电流提供低阻抗导通路径,同时把异常高压箝制在一个安全水平之内，从而保护被保护IC或线路；当异常过压消失，其恢复至高阻态，电路正常工作。
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