1. MOSFET器件导通损耗
在5V的全桥充电系统中需要用到4个功率MOSFET，全桥结构，两种情况：一种是4个NMOS管，另外一种是2个NMOS和2个PMOS。系统在工作的过程当中至少有两个管子是导通的，所以在发射部分功率MOSFET的损耗是最大的。为了减少损耗，就需要考虑采用低导通内阻的管子。
2. 主控制器控制、控制响应不及时产生的损耗
在磁感应式无线充电系统中，接收端是被动感应端，理论上来讲，发射端提供多少功率，接收端就可以接收到除损耗之外的所有功率。但在实际应用当中发射端的发射功率是根据接收端灵活调整的，过多的发射功率会在接收端的整流部分和降压部分会造成过多的功率损耗，所以为了尽量减少不必要的损耗，就需要对接收端的功率输出做精确控制。
在系统工作过程中，发射端和接收端通过一个2kHz的调频载波进行实时通讯，所以发射端通过解调可以得到一个接收端的功率反馈信息，再根据这个信息实时调整发射功率，以确保有效功率的最大化传输。
|
楼主
标题置顶
标题高亮
