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一、概述
半导体存储器分类
如上是存储器的分类，只读存储器中，除了E2PROM（电信号可编程可擦除ROM），还有一个是EPROM（可擦除的可编程ROM），指的其实是UVE-PROM（用紫外线擦除的可编程ROM。） PROM：Programmable Read-Only Memory
EPROM：Erasable Programmable Read-Only Memory
E2PROM：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory
UVE-PROM：Ultra-Violet Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory 二、随机存储器（RAM）1、静态随机存储器（SRAM） 英文全称是：Static Random-Access Memory，简称SRAM。 SRAM结构，通常由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路三部分组成。 地址译码器分为行地址译码器和列地址译码器。
2、动态随机存储器（DRAM） 英文全称是：Dynamic Random-Access memory，简称DRAM。 DRAM的动态存储单元是利用MOS电容可以存储电荷的原理制成的，在大容量、高集成度的RAM中得到普遍的应用，DRAM是大容量RAM的主流产品。 因为MOS电容容量小，漏电流也不可能绝对为0，所以电荷保持的时间有限，必须定时给电容补充电荷，这种操作叫做刷新或再生。 DRAM结构，存储矩阵、地址译码器、读写控制电路和刷新控制电路组成。 三、只读存储器（ROM）结构：由存储矩阵、地址译码器和输出缓冲器组成。 地址译码器的作用：将输入的地址代码翻译成相应的控制信号，利用这个控制信号从存储矩阵中将指定的单元选出，并把其中的数据送到输出缓存器。 输出缓存器的作用：一是能提高存储器的带负载能力，二是对输出状态的三态控制，以便于系统的总线连接。
闪存（Flash Memory）优点：闪存吸收了EPROM结构简单、编程可靠的优点，又保留了E2PROM用隧道效应擦除的快捷特性，而且集成度很高。 闪存的结构和EPROM极为相似，最大的区别是Gf（浮置栅）和衬底的氧化层厚度不一样。EPROM中，氧化层厚度在30-40nm，闪存中仅为10-15nm，Gc是控制栅。
读出状态：字线给出+5V的逻辑高电平，Vss为0电平。如果Gf上没有充电，则MOS管导通，位线上输出低电平；如果Gf充有负电荷，则MOS管关闭，位线上输出高电平。 写入方法：MOS管的D极经过位线接至一个较高的正电压（一般为6V），Vss接0电平，同时在控制栅Gc加一个12V左右、宽度约10us的正脉冲，这时D-S之间发生雪崩击穿，一部分速度高的电子穿过氧化层到达Gf，形成Gf充电电荷。Gf充电之后，MOS管的开启电压为7V以上，字线为正常的逻辑高电平它不会导通。
四、存储器容量的扩展1、位扩展
2、字扩展
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