晶圆制作流程
1、湿洗(用各种试剂保持硅晶圆表面没有杂质)
2、光刻(用紫外线透过蒙版照射硅晶圆, 被照到的地方就会容易被洗掉, 没被照到的地方就保持原样. 于是就可以在硅晶圆上面刻出想要的图案. 注意, 此时还没有加入杂质, 依然是一个硅晶圆. )
4.1、干蚀刻(之前用光刻出来的形状有许多其实不是我们需要的，而是为了离子注入而蚀刻的。现在就要用等离子体把他们洗掉，或者是一些第一步光刻先不需要刻出来的结构，这一步进行蚀刻).
4.2、湿蚀刻(进一步洗掉，但是用的是试剂， 所以叫湿蚀刻)—— 以上步骤完成后, 场效应管就已经被做出来啦，但是以上步骤一般都不止做一次, 很可能需要反反复复的做，以达到要求。
6、热处理，其中又分为：
6.1 快速热退火 (就是瞬间把整个片子通过大功率灯啥的照到1200摄氏度以上, 然后慢慢地冷却下来, 为了使得注入的离子能更好的被启动以及热氧化)
6.2 退火
6.3 热氧化 (制造出二氧化硅, 也即场效应管的栅极(gate) )
7、化学气相淀积(CVD)，进一步精细处理表面的各种物质
8、物理气相淀积 (PVD)，类似，而且可以给敏感部件加coating
9、分子束外延 (MBE) 如果需要长单晶的话就需要。
10、电镀处理
11、化学/机械表面处理
12、晶圆测试
13、晶圆打磨就可以出厂封装了。
干式蚀刻：通常称为反应离子刻蚀或RIE，使用通常含有卤素原子的等离子体活化的刻蚀气体，选择性地去除一部分材料。优点在于精度高，安全。缺点是产能低，成本高。u7UEETC-电子工程专辑
湿式蚀刻：使用酸或碱的水溶液来快速除去大量材料或完全去除特定材料。优点是便宜，产能高。缺点则是精度低，危险性高，蚀刻用化学品不宜长期储存。
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