产品属性 属性值
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 65 A
Rds On-漏源导通电阻: 24 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 70 nC
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 330 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
配置: Single
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 49 S
下降时间: 31 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 33 ns
单位重量: 6 g
INFINEON IRFB4227PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 65 A, 200 V, 0.0197 ohm, 10 V, 5 V
电动机控制和交流-直流同步整流器 MOSFET，为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。
同步整流 MOSFET 设备的组合，适用于交流-直流电源，支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。
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