(1)NPN型三极管，适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况。只要基极电压高于射极电压(此处为GND)0.7V，即发射结正偏(VBE为正)，NPN型三极管即可开始导通。基极用高电平驱动NPN型三极管导通(低电平时不导通);基极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-20k到GND;
优点是：①使基极控制电平由高变低时，基极能够更快被拉低，NPN型三极管能够更快更可靠地截止;②系统刚上电时，基极是确定的低电平。
(2)PNP型三极管，适合射极接VCC集电极接负载到GND的情况。只要基极电压低于射极电压(此处为VCC)0.7V，即发射结反偏(VBE为负)，PNP型三极管即可开始导通。基极用低电平驱动PNP型三极管导通(高电平时不导通);基极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-20k到VCC;
优点是：①使基极控制电平由低变高时，基极能够更快被拉高，PNP型三极管能够更快更可靠地截止;②系统刚上电时，基极是确定的高电平。
(3)PMOS，适合源极接VCC漏极接负载到GND的情况。只要栅极电压低于源极电压(此处为VCC)超过Vth(即Vgs超过-Vth)，PMOS即可开始导通。栅极用低电平驱动PMOS导通(高电平时不导通);栅极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-20k到VCC，使栅极控制电平由低变高时，栅极能够更快被拉高，PMOS能够更快更可靠地截止。
(4)NMOS，适合源极接GND漏极接负载到VCC的情况。只要栅极电压高于源极电压(此处为GND)超过Vth(即Vgs超过Vth)，NMOS即可开始导通。栅极用高电平驱动NMOS导通(低电平时不导通);栅极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-20k到GND，使栅极控制电平由高变低时，栅极能够更快被拉低，NMOS能够更快更可靠地截止。
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