一、数字D类音频功率放大器 消费者们越来越在意其购入的音频设备的便携性、智能程度和时尚性，不管是最近华为与GENTLE MONSTER联名推出的智能眼镜耳机，还是苹果公司新上市的头戴式耳机，都在佐证这一消费趋势。这些新一代的音频设备对功耗要求越来越高，而D类音频功率放大器和其他几类放大器相比，是电源效率最高的，而且MOSFET的发展也促进了D类音频功率放大器的发展。数字D类音频功放相比于传统D类功放，更适应于数字化时代，但是失真较大，所以需要研究更有效的算法来提高数字D类音频放大器的性能。
2017年，Zhu Liang设计了一种基于FPGA的数字D类音频功率放大器，研究了数字D类功放调制算法，改善了数字D类功放调制谐波失真加大的缺陷，并提高了数字D类功放电源效率。 二、主要电路硬件设计工作原理图及元器件参数
【D类功放系统框图】 元器件主要参数
- ADC采样：AD9280芯片，最大采样率=32MSPS
- 电源电压15V
- MOS管驱动芯片：IR2181S芯片
- 移位电平中MOS管：BSS138
- 二极管：MUR360
- LC低通滤波器：C=1uF/0.68uF；L=22uH/47uH
【pwm调制电路】 FPGA输出的数字PWM驱动型号可以靠添加两个移位电平来增强。直流电源V15、电阻R13、MOSFET晶体管M13组成的移位电平和MOSFET晶体管M14、电阻R11、直流电源V14组成的移位电平可以放大PWM波，增强MOS管驱动能力。 这里MOS管选用的是BSS138，Vds=60V，ID=0.25A，具有输入电容小、关断延迟时间短等优点。
可选用的MOS管型号： ①BSS138 ②VB162K ③VBK162K ④VBK362K
【适用的VBsemi微碧半导体MOS管型号参数】
【MOS管驱动电路】 MOS管的驱动电路采用IR2181S驱动芯片，可以实现只用两颗芯片即可驱动全桥电路，同时，芯片也兼具电磁隔离和光耦隔离的优点。
【H桥功率输出电路，低通滤波电路】 系统中使用了4阶LC低通滤波器，它加速高频信号的衰减，提高D类功放器的功放效率，其中的电容采用无感电容，电感采用工形屏蔽电感，降低了电磁干扰（EMI）。 功率输出电路中的功率场效应管的耐压Vdss决定了音频功放的功率，导通电阻RDon决定了音频功放的效率，此处可以选用VBsemi微碧半导体的NMOS管型号VBE1101N，其VDS=100V，ID=85A，拥有极低的导通电阻RDSon=7.5mΩ。
可选用的mos管型号： ①VBE1101N ②VBE1102N ③VBE1105 ④VBZM20N10 ⑤VBM1102N
【可选用的VBsemi微碧MOS管产品参数】
实际应用中，应在各模块中加入去耦电容，以防止电源抖动；数字地和模拟地之间用0Ω的电阻相连，可以降低信号干扰。
三、参考文献[1]朱亮. 基于FPGA的D类音频功率放大器的设计[D].西安电子科技大学,2017. [2]王宇星.3W无滤波D类音频功率放大器设计[J].固体电子学研究与进展,2015,35(06):591-596+607. [3]高爱国,蒋宇中,李开锋.D类放大器的随机脉宽调制技术研究和分析[J].通信技术,2010,43(06):4-6. [4]冯玮,李洪革,张有光.应用于D类放大器的新型混沌频率调制电路[J].北京航空航天大学学报,2009,35(05):559-562.
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