三极管的速度极限特性

登录 · 发表于 2020-12-31 12:07

本帖最后由 xukun977 于 2020-12-31 12:11 编辑

三极管的3种基本接法中，共基是高频电路中常用结构，除了阻抗特性易于匹配，速度也是杠杠地，所以下面看共基放大器就行了。

现在的问题转化为：在某个时间t0之前，管子的VCB=V1，然后随意改变激励，让VCB以最快的速度窜到电压V2，这里的V2>V1，目标是时间T最短？！

要想让时间T最短，此时最残酷的激励，应该是施加一冲击电流源到发射极，让它以最快的速度关闭管子，让VCB以最快的速度升高到V2电平。

登录 · 发表于 2020-12-31 12:16

本帖最后由 xukun977 于 2020-12-31 12:22 编辑

现在问题完全转化为大二模电问题了。

第一步，套入管子模型，如下图所示，电容C1是CΠ，C2是电容Cu。

于是容易得到响应时间T的公式-------这个公式，电路分析基础书上有，大二数字电路教材上也有：

也就是说，电压升高的过程仍遵守指数律：

登录 · 发表于 2020-12-31 12:29

根据下面式子中的电容伏安特性，可以推出共基管子的最快速度是I1/C2，这里的I1是t0之前的IC值：

眼尖的同志，一看上面的表达式就熟悉，好像在哪里看到过。

不错，完全相同的推导过程，就是地球人都熟悉的运放压摆率，我来随便百度一下：

登录 · 发表于 2020-12-31 12:36

本帖最后由 xukun977 于 2020-12-31 12:39 编辑

绕了这么大的圈子，目的可不是逗网友玩，而是体验一把什么叫知识的【举一反三】
有人运放的压摆率相关知识，背的滚瓜烂熟，一旦换了个管子，就说没看到过，不知如何下手。

以此贴祝贺老王获得2020年全国象棋排位赛的个人冠军！30万+奖金到手，这小年过的开心啊

发表于 2020-12-31 18:29

结电容不管咋整还是扔不掉，共基拓扑不过是把负反馈作用(米勒效应) 破坏而矣，
对 Vo(集极电位) 的影响，实际上不光是 Ccb，还有一个不经基极的寄生电容 Cce，
讯号源若为电压源，Cce 会成为降低 SR 的附加因素，讯号源如果是电流源，Cce 可能会造成正反馈，简易化的电容三点式震荡电路的正反馈，利用的就是 Cce 。

发表于 2020-12-31 18:54

三端子器件，可固定端只能一个，
多于三端子的器件，可动端至少得有两个，
所以，元件的寄生参数，总有作恶之机，只是哪个参数能起作用而矣，
共基拓扑，集射两极是交流热端，那么，有机可乘的就是 Cce 。

发表于 2021-1-1 17:20

寄生与分布，根本就无处不在，
电子迁移率，是制约半导体元件的高频性能的终极因素，
分布与寄生参数的存在，使有源器件能跑的频率无法达至由电子迁移率决定的理论值。

发表于 2021-1-1 23:54

实际上，寄生电容不单影响关断，也影响开通，
当频率高至足以使输出受压摆率限制时，相移也会一併出现，输出幅度下降而且跟讯号不同步了。

发表于 2021-1-4 18:50

f.max ＞ fT ＞ fα ＞ fβ

发表于 2021-1-6 16:37

学习了

发表于 2021-1-6 16:37

学习了

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