Page填啥

1万 · 2021-1-4 23:31

stm32擦除flash的时候FLASH_EraseInitTypeDef结构的Page填啥？

2万 · 2021-1-4 23:34

还有什么现象？能再详细描述下吗？

2万 · 2021-1-4 23:37

看了网上的例子，填好像是地址
uint32_t writeFlashData = 0x55555555;
uint32_t addr = 0x08007000;

//FLASH写入数据测试
void writeFlashTest(void)
{
//1、解锁FLASH
  HAL_FLASH_Unlock();

//2、擦除FLASH
//初始化FLASH_EraseInitTypeDef
FLASH_EraseInitTypeDef f;
f.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
f.PageAddress = addr;
f.NbPages = 1;
//设置PageError
uint32_t PageError = 0;
//调用擦除函数
HAL_FLASHEx_Erase(&f, &PageError);

//3、对FLASH烧写
HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD, addr, writeFlashData);

//4、锁住FLASH
  HAL_FLASH_Lock();
}

可是官方给的例程里填的是第几页吧
/* Unlock the Flash to enable the flash control register access *************/
  HAL_FLASH_Unlock();

  /* Erase the user Flash area
(area defined by FLASH_USER_START_ADDR and FLASH_USER_END_ADDR) ***********/

  /* Clear OPTVERR bit set on virgin samples */
  __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_OPTVERR);
  /* Get the 1st page to erase */
  FirstPage = GetPage(FLASH_USER_START_ADDR);
  /* Get the number of pages to erase from 1st page */
  NbOfPages = GetPage(FLASH_USER_END_ADDR) - FirstPage + 1;
  /* Get the bank */
  BankNumber = GetBank(FLASH_USER_START_ADDR);
  /* Fill EraseInit structure*/
  EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
  EraseInitStruct.Banks    = BankNumber;
  EraseInitStruct.Page       = FirstPage;
  EraseInitStruct.NbPages    = NbOfPages;

/**
  * @brief  Gets the page of a given address
  * @param  Addr: Address of the FLASH Memory
  * @retval The page of a given address
  */
static uint32_t GetPage(uint32_t Addr)
{
  uint32_t page = 0;

  if (Addr < (FLASH_BASE + FLASH_BANK_SIZE))
  {
/* Bank 1 */
page = (Addr - FLASH_BASE) / FLASH_PAGE_SIZE;
  }
  else
  {
/* Bank 2 */
page = (Addr - (FLASH_BASE + FLASH_BANK_SIZE)) / FLASH_PAGE_SIZE;
  }

  return page;
}

1万 · 2021-1-4 23:43

uint32_t writeFlashData = 0x55555555;
uint32_t addr = 0x08007000;

//FLASH写入数据测试
void writeFlashTest(void)
{
//1、解锁FLASH
  HAL_FLASH_Unlock();

//2、擦除FLASH
//初始化FLASH_EraseInitTypeDef
FLASH_EraseInitTypeDef f;
f.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
f.PageAddress = addr;
f.NbPages = 1;
//设置PageError
uint32_t PageError = 0;
//调用擦除函数
HAL_FLASHEx_Erase(&f, &PageError);

//3、对FLASH烧写
HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD, addr, writeFlashData);

//4、锁住FLASH
  HAL_FLASH_Lock();
}

//FLASH读取数据测试
void printFlashTest(void)
{
  uint32_t temp = *(__IO uint32_t*)(addr);

printf("addr:0x%x, data:0x%x\r\n", addr, temp);
}

只看该作者 · 2021-1-4 23:45

具体用的是什么板子呢

1万 · 2021-1-4 23:46

其中比较特殊的是擦除步骤，需要定义个FLASH_EraseInitTypeDef的数据，FLASH_EraseInitTypeDef有三个成员：TypeErase、PageAddress和NbPages。

其中，TypeErase有两个选项，页擦除和块擦除：

#define FLASH_TYPEERASE_PAGES ((uint32_t)0x00) /*!<Pages erase only*/
#define FLASH_TYPEERASE_MASSERASE ((uint32_t)0x01) /*!<Flash mass erase activation*/
1
2
PageAddress是设置FLASH地址，这里为0x8007000；

NbPages为擦除页数（块数），这里为1;

1万 · 2021-1-4 23:50

另外还需要定义一个uint32_t变量——PageError，如果出现错误这个变量会被设置为出错的FLASH地址。

2万 · 2021-1-4 23:53

应该跟实际有关吧，看选择的哪个芯片。

只看该作者 · 2021-1-4 23:55

引脚不一样地址不一样楼主将详细点

2万 · 2021-1-4 23:55

没明白楼主到底问的啥

1万 · 2021-1-4 23:59

唉，还是没有什么结果，算了，多谢大家啦

1万 · 2021-2-1 22:57

这个好像是一个他自己定义的数据类型

1万 · 2021-2-1 23:01

感觉就是页数啊第几页第几页那样的

1万 · 2021-2-1 23:04

填写你需要的第几页的数值就行应该

1万 · 2021-2-1 23:07

自己定义的一直数据就感觉像是整型之类的

1万 · 2021-2-1 23:11

是不是就是64个字节啊