高阻状态

2万 · 2021-1-12 23:34

M16复位期间I/O口是高阻状态，这样I/O口控制的外设就不会动作，可是换成了82G516,复位期间外设就会误动作，有什么办法解决？

2万 · 2021-1-12 23:38

为啥也不用MEGA16了？呵呵

1万 · 2021-1-12 23:41

是啊，82G516的I/O的状态时可以通过程序来设置成推挽，上拉，输入等状态，基本和M16的I/O差不多

2万 · 2021-1-12 23:43

MPC82G516 的I/O口，默认是标准的8051 I/O口模式，工作在准双向，复位后输出为1，弱上拉。

2万 · 2021-1-12 23:45

对，但是复位期间的状态应该是和普通51一样，是弱上拉，也就是高电平。

2万 · 2021-1-12 23:47

改用复位后I/O口可设定为默认开漏模式的51芯片，这样I/O口控制的外设就不会动作，电路外围也不需要加个什么非门，也不用改什么外围电路了。

2万 · 2021-1-12 23:50

我觉得MPC82G516的P0口设计时有点小问题。

上电复位时，
P0M0 端口P0 模式寄存器0，复位值=0000,0000B
P0M1 端口P0 模式寄存器1，复位值=0000,0000B

2万 · 2021-1-12 23:53

不是很理解

2万 · 2021-1-12 23:55

即上电复位默认P0口为准双向端口，和传统的51单片机P0口上电复位默认P0口为开漏输出，不兼容！

2万 · 2021-1-12 23:56

对，
否则，MPC82G516的P0口可满足你设计的要求。

2万 · 2021-1-12 23:58

复位后的确是上拉~

2万 · 2021-1-13 00:02

加个10K～30K下拉电阻

只看该作者 · 2021-1-18 20:49

这个复位后上拉，是比较烦人，51改了这么久，也不做点改进。

2万 · 2021-1-18 20:54

I/O是用来驱动8个三极管，看来非要加个IC不行了。

2万 · 2021-1-18 20:56

改成低电平驱动可以吗？

2万 · 2021-1-18 20:59

可改用复位后I/O口可设定为默认开漏模式的51芯片，这样I/O口控制的外设就不会动作，电路外围也不需要加个什么非门，也不用改什么外围电路了。

2万 · 2021-1-18 21:01

这类复位后I/O口可设定为默认开漏模式的51芯片，很常规很通用的，在中国的用量也挺广挺多的，网上去搜一下，就能找到。

2万 · 2021-1-18 21:01

是不是要显示的数据不稳定，而且变化很快呢，

给个假如的传感器数据测试下

2万 · 2021-1-18 21:03

可以用低推的方法来解决这个问题,而且灌电流要比驱动电流要大很多.

只看该作者 · 2021-1-18 21:06

Megawin(笙泉)单片机比其他51单片机最占优势的地方在于仿EEPROM容量可以划分较大，对某些需要较大EEPROM存储数据的应用，可以省去外接EEPROM, 简化结构，降低成本。