金属-氧化物-半导体场效应晶体管由源极、栅极和漏极构成，MOS场效应晶体管与结型场效应晶体管的不同在于，它的栅极与沟道之间是绝缘的，因此，MOS管的栅极电流更小。MOS管有时也称为绝缘栅场效应晶体管。
MOS管场效应晶体管有两类，耗尽型和增强型。增强型MOS管广泛应用于分立电路和集成电路，在分立电路中，MOS管主要用作于电源开关，控制大电流的导通和关断，在集成电路中，MOS管主要用作数字开关，这是现代计算机内部的基本操作。耗尽型MOS管的使用虽然不多，但仍在通信电路射频前端的射频放大器中有所应用。
耗尽型MOS管和JFET一样，都是常通器件，即当VGS=0时，有漏极电流，对JFET而言，Idss是漏极电流的最大值。而对于耗尽型MOS管，只要栅压偏置的极性正确，使得沟道中的载流子数量增加，则产生的漏极电流可以大于Idss,如N沟道耗尽型MOS管，当VGS为正时，漏极电流Id大于Idss。
耗尽型晶体管的电压增益相对较低，该器件主要的优点是输入电阻很高，因而可以用来解决电路的负载问题，同时，MOS管具有优异的低噪声性能，当信号很弱的时候，在系统前端各级使用MOS管具有明显的优势，这种应用在通信电子电路中非常普遍。
增强型MOS管，P型衬底延展到表面的二氧化硅层，源极和漏极之间是没有N沟道的，当栅极电压为零时，源极和漏极之间的电流为零，因此，EMOS管在栅电压为零时是常断的，EMOS管需要加正栅压才能获得电流，当栅压为正时，它吸引自由电子到P区与二氧化硅层附近的空穴都被填满，则那里余下的自由电子便开始在源极和漏极之间流动，相当于在二氧化硅层附近产生一个很薄的N型层，这个可以导电的薄层叫做N反型层，当该反型层出现时，自由电子便可以很容易地从源极流到漏极。
能够产生N反型层的最小VGS称作阀值电压，符号为VGS(th)。当VGS小于VGS(th)时，漏极电流为零，当VGS大于VGS(th)时，N反型层使源区和漏区相连接，漏极电流可从中流过，小信号器件的典型VGS(th)值为1~3V。
JFET被认为是耗尽型器件，因为它的导电性能取决于耗尽层的状况，EMOS管则被认为是增强型器件，因为栅源电压大于阀值电压时可使导电性增强，当栅电压为零时，JFET导通，而EMOS管截止，所以，EMOS称为常断器件。
EMOS管的VGS必须大于VGS(th)才能获得漏极电流，因此，对于EMOS管不能采用自偏置、电流源偏置和零偏置的方法，这些偏置的方法只适用于耗尽型工作模式。对于EMOS管的偏置方法只有栅极偏置、分压器偏置和源极偏置。
最大栅源电压(VGS) MOS管有一层很薄的二氧化硅绝缘层，能够阻止栅电流。该绝缘层应尽可能薄，使栅极电压对漏极电流的控制作用更强。由于绝缘层很薄，所以当栅源电压过大时，很容易被击穿。
漏源导通电阻Rds(on)，当EMOS管可以被偏置在电阻区时，相当于一个电阻Rds(on),规格书上都会列出该电阻在特定漏极电流和栅源电压下的阻值。
当然，关于MOS还有很多的关键参数，这里就不在一一列举了，记得之前在某个大神的**上看到，我这里也就不再继续列举了，都是些文字，大家看着也眼花，总之我们选取这部分的器件的时候都是需要考量裕量的问题，这个是重中之中，后续再更新关于电源中其他器件的选取以及工作原理。
|
楼主
标题置顶
标题高亮
