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[DCDC] 求大神帮忙分析一下为什么会坏

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wy232416
 楼主 | 2021-1-18 14:53 | 显示全部楼层 |阅读模式
os, RF
本帖最后由 wy232416 于 2021-1-18 14:55 编辑

一直坏Pmos（IRF4905）
微信图片_20210118144908.png
微信图片_20210118144916.png

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cooldog123pp 2021-1-19 09:05 回复TA
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jjjyufan
| 2021-1-18 14:56 | 显示全部楼层
VGS 电压不对

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LcwSwust
| 2021-1-18 15:07 | 显示全部楼层
一般MOS的Vgs只能承受20V，你这有25V了吧。
输出D接的啥？

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wy232416
 楼主 | 2021-1-18 15:08 | 显示全部楼层
jjjyufan 发表于 2021-1-18 14:56
VGS 电压不对

上拉电阻选择不对吗？麻烦老哥详细说下呢

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wy232416
 楼主 | 2021-1-18 15:14 | 显示全部楼层
LcwSwust 发表于 2021-1-18 15:07
一般MOS的Vgs只能承受20V，你这有25V了吧。
输出D接的啥？

D接的功放管漏极，算下来需要50V*8A

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tianxj01
| 2021-1-18 15:14 | 显示全部楼层
R3并联一个12V稳压管，有效限制MOS管栅极。
同时，注意负载哪怕是电阻，在线路过长情况下，也是有感性断开尖峰过冲过程，所以最好在GND到D极之间接一个续流二极管。
这样处理过后，VDS再不会超标，VGS也不会超标，MOS管随机损坏现象就没了..........

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wy232416
 楼主 | 2021-1-18 15:30 | 显示全部楼层
tianxj01 发表于 2021-1-18 15:14
R3并联一个12V稳压管，有效限制MOS管栅极。
同时，注意负载哪怕是电阻，在线路过长情况下，也是有感性断开 ...

负载接的是功放管漏极，有大电容

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LcwSwust
| 2021-1-18 15:33 | 显示全部楼层
wy232416 发表于 2021-1-18 15:14
D接的功放管漏极，算下来需要50V*8A

若D接的是大电容，则可能在导通瞬间流过大电流将MOS管烧坏。
功放管我就不清楚了。

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new1day
| 2021-1-18 17:18 | 显示全部楼层
这T1,40V的Vce也是有点危险的

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jazzyfox
| 2021-1-18 21:24 | 显示全部楼层
Vgs电压25V，太高了，最多20v,而且你这个电路应该用高边驱动IC或者自己搭一个靠谱的驱动电路

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Siderlee
| 2021-1-19 09:30 | 显示全部楼层
50V母线，选的55V的管子。。。。

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Q3007519876
| 2021-1-19 09:34 | 显示全部楼层
各位大哥的回答学习到了~

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tom_xu
| 2021-1-19 09:54 | 显示全部楼层
一般器件损坏是由于过热，过压，过流损坏，MOS管还容易被静电打坏，分析下失效模式。

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wztoad
| 2021-1-19 10:16 | 显示全部楼层
图腾柱了解一下

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wh6ic
| 2021-1-19 11:35 | 显示全部楼层
R3 并联一粒 12 ~ 15V 稳压管， 同时 R4 并联一粒 104 50V 电容，就基本可以解决楼主 问题。

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coody
| 2021-1-19 13:32 | 显示全部楼层
栅压过压击穿。R3并联12~15V稳压二极管。

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b838899
| 2021-1-19 13:35 | 显示全部楼层
50V母线，选的55V的管子。。。。
不坏才怪，至少要100V以上

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叶春勇
| 2021-1-19 13:46 | 显示全部楼层
怎么个坏法，是ds短路吗，还是ds永远开路。或者gd直接导通？

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wy232416
 楼主 | 2021-1-19 14:40 | 显示全部楼层
叶春勇 发表于 2021-1-19 13:46
怎么个坏法，是ds短路吗，还是ds永远开路。或者gd直接导通？

GDS全部击穿导通

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wy232416
 楼主 | 2021-1-21 13:19 | 显示全部楼层
问题已解决，去掉R4即可，用电子负载50V输出带载10A也没问题了。谢谢各位

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