SIC碳化硅MOS管-碳化硅模块产品资料，附件可下载，国产替....

只看该作者 · 2021-1-26 12:33

1、SiC MOS应用系统特性：
功率密度高：最大功率密度达到50KW/L
高可靠性的汽车级SiC MOS功率模块
符合ISO26262功能安全要求的架构设计
可分别提供驱动板或者整机产品
2、模块特性：
最高结温175℃
正温度系数
氮化铝绝缘基板
直接水冷散热
集成负温度系数传感器
2.5KV绝缘电压碳化硅MOS管和碳化硅模块的产品介绍

只看该作者 · 2021-2-2 10:00

超薄DFN8*8封装碳化硅MOS管

只看该作者 · 2021-2-22 16:25

SIC碳化硅MOS管选型

只看该作者 · 2021-3-2 16:21

超薄DFN8*8封装的碳化硅功率管

只看该作者 · 2021-3-13 16:26

IGBT的工作频率不够高，MOS的频率高但耐压不够高，对应用需求高耐压，高频率的产品，SiC MOS是理想的选择，如果价格合适，SiC MOS确实是好东西

只看该作者 · 2021-3-24 11:56

氮化镓和碳化硅 MOSFET应用建议
（1）所应用系统由于某些原因必须工作于超过200KHz以上的频率，首先碳化硅MOSFET，次选氮化镓晶体管；若工作频率低于200KHz，两者皆可使用；
（2）所应用系统要求轻载至半载效率极高，首先氮化镓晶体管，次选碳化硅MOSFET；
（3）所应用系统工作最高环境温度高，或散热困难，或满载要求效率极高，首选碳化硅MOSFET，次选氮化镓晶体管；
（4）所应用系统噪声干扰较大，特别是门极驱动干扰较大，首选碳化硅MOSFET，次选氮化镓晶体管；
（5）所应用系统需要功率开关由较大的短路能力，首选碳化硅MOSFET；
（6）对于其他无特殊要求的应用系统，此时根据散热方式，功率密度，设计者对两者的熟悉程度等因素来确定选择哪种产品。

只看该作者 · 2021-3-29 18:08

SIC碳化硅MOS管及功率模块

只看该作者 · 2021-4-1 18:46

DFN8*8封装，PD快充方案量产中

只看该作者 · 2021-4-5 11:06

SIC碳化硅MOS管及功率模块，封装齐全，可以定制产品规格，交期短，品质保证

只看该作者 · 2022-3-1 16:07

国产碳化硅MOSFET和模块.pdf (1.01 MB)

只看该作者 · 2022-3-2 16:06

本帖最后由碳化硅MOS和模块于 2022-3-2 16:08 编辑

碳化硅MOS管，封装TO247-3产品资料：

ASC5N1700MT3.pdf (1.1 MB)

ASC30N650MT3.pdf (1.21 MB)

ASC30N900MT3.pdf (1.18 MB)

ASC30N1200MT3.pdf (759.16 KB)

ASC60N650MT3.pdf (775.91 KB)

ASC60N900MT3.pdf (774.98 KB)

ASC60N1200MT3.pdf (749.54 KB)

ASC100N650MT3.pdf (1.04 MB)

ASC100N900MT3.pdf (956.18 KB)

ASC100N1200MT3.pdf (1.13 MB)

ASC100N1700MT3.pdf (957.32 KB)

只看该作者 · 2022-4-1 10:53

SIC MOS--1700V国产碳化硅MOS

只看该作者 · 2022-4-16 10:08

碳化硅MOS管和IGBT驱动芯片

Sic mos和IGBT驱动产品介绍 -2022-3-22.pdf (4.48 MB)

只看该作者 · 2022-7-13 09:24

SiC 碳化硅产品资料2022.pdf (3.42 MB)

只看该作者 · 2023-12-18 16:33

碳化硅MOS芯片-碳化硅MOS单管-全碳化硅模块及产品的应用

SIC碳化硅MOS管-碳化硅模块产品资料，附件可下载，国产替....

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