SIC碳化硅MOS管-碳化硅模块产品资料，附件可下载，国产替....

只看该作者 · 2021-1-26 12:33

1、SiC MOS应用系统特性：
功率密度高：最大功率密度达到50KW/L
高可靠性的汽车级SiC MOS功率模块
符合ISO26262功能安全要求的架构设计
可分别提供驱动板或者整机产品
2、模块特性：
最高结温175℃
正温度系数
氮化铝绝缘基板
直接水冷散热
集成负温度系数传感器
2.5KV绝缘电压碳化硅MOS管和碳化硅模块的产品介绍

只看该作者 · 2021-2-2 10:00

超薄DFN8*8封装碳化硅MOS管

只看该作者 · 2021-2-22 16:25

SIC碳化硅MOS管选型

只看该作者 · 2021-3-2 16:21

超薄DFN8*8封装的碳化硅功率管

只看该作者 · 2021-3-13 16:26

IGBT的工作频率不够高，MOS的频率高但耐压不够高，对应用需求高耐压，高频率的产品，SiC MOS是理想的选择，如果价格合适，SiC MOS确实是好东西

只看该作者 · 2021-3-24 11:56

氮化镓和碳化硅 MOSFET应用建议
（1）所应用系统由于某些原因必须工作于超过200KHz以上的频率，首先碳化硅MOSFET，次选氮化镓晶体管；若工作频率低于200KHz，两者皆可使用；
（2）所应用系统要求轻载至半载效率极高，首先氮化镓晶体管，次选碳化硅MOSFET；
（3）所应用系统工作最高环境温度高，或散热困难，或满载要求效率极高，首选碳化硅MOSFET，次选氮化镓晶体管；
（4）所应用系统噪声干扰较大，特别是门极驱动干扰较大，首选碳化硅MOSFET，次选氮化镓晶体管；
（5）所应用系统需要功率开关由较大的短路能力，首选碳化硅MOSFET；
（6）对于其他无特殊要求的应用系统，此时根据散热方式，功率密度，设计者对两者的熟悉程度等因素来确定选择哪种产品。