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过流保护设计

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楼主
boy1990|  楼主 | 2021-2-1 18:54 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
过流保护, 电路, BCD, CD, ce
基于3μm高压BCD 工艺，我们在Cadence 设计环境中利用电路模拟器Spectre 对该控制电路进行了分模块和整体模块的仿真，结果表明该电路可以较好地实现实时过流保护功能。

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沙发
Edisons| | 2021-2-1 19:01 | 只看该作者
二极管正向压降的负温度特性来监测芯片的热状态，进而控制功率LDMOS 管的开关是一种可行的安全设计方法。

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板凳
Listate| | 2021-2-1 19:02 | 只看该作者
由于硅片存在热惰性，故不能做到即时控制。

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地板
Mozarts| | 2021-2-1 19:08 | 只看该作者
这种方法在IGBT的过流保护中很常见，比如80～90年代的厚膜电路EXB840。

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5楼
laozhongyi| | 2021-2-1 19:10 | 只看该作者
带有关断斜率控制，防止保护动作时电流变化太快产生高压击穿管子。

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6楼
guanjiaer| | 2021-3-1 22:19 | 只看该作者
没明白楼主的意图

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7楼
heimaojingzhang| | 2021-3-1 22:19 | 只看该作者
如何能确认可以实时过流保护呢

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8楼
keaibukelian| | 2021-3-1 22:21 | 只看该作者
跟工艺的关系大不大啊

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9楼
labasi| | 2021-3-1 22:23 | 只看该作者
过流保护需要确定的参数是什么呢

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10楼
paotangsan| | 2021-3-1 22:26 | 只看该作者
如何得到的这个结论啊

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