关于BLUENRG-2的FLASH擦写寿命理解的问题

发表于 2021-2-22 11:15

官方文档每个bit位的擦写在10000次这样，如果重复调用页擦除，比如说100次，这个是不是不影响。
意思是说，目前页数的数据都是0xFF，都是1，重复调用页擦除是不是不会影响寿命。就是我理解只有0 -> 1，才算一次。
我的理解上是对的吗？

发表于 2021-4-20 14:43

FLASH的非易失存储原理是往浮栅MOS管的栅极中注入电荷，只要电荷在，MOS管在电路中的开关状态就不变。而改变浮栅存储的电荷，需要对浮栅加压操作，这个操作会破坏浮栅的物理结构，进而影响MOS存储单元的寿命。也就是说，只有逻辑状态改变才影响MOS管的浮栅寿命。FLASH的写入-擦除循环仅指浮栅注入电荷、释放电荷的循环，逻辑状态不变，对浮栅而言擦写操作其实是不执行的，自然对其物理结构没有影响。

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