可控硅做过压保护电路

登录 · 发表于 2012-2-18 22:07

请教各位。
我用单向可控硅和稳压稳压二极管做过压保护电路如图，能否可行。

输入电压为3.3V提供12A电流给负载，当如入电压高于3.6V时由于稳压二极管作用可控硅D1导通，产生足够大电流烧断保险丝，同时保证负载安全。
请问各位这个电路是否可行？

登录 · 发表于 2012-2-18 23:41

本帖最后由 dontium 于 2012-2-18 23:48 编辑

可行！

TVS是代替这种的最好器件，但TVS没有做到这么低的电压

发表于 2012-2-18 23:42

在7V以下的稳压管的特性不是太好，设计电路时应该考虑这一点

发表于 2012-2-19 13:11

请教楼上，我用这个电路做仿真的时候，当输入电压为5V，稳压二管作用导通可控硅，这时候流过负载电压大概18A，流过可控硅大概92A，流过保险丝的电流大概102A。这个仿真结果可信度高不？
选择的可控硅为2N6400的最大电流为16A，实际电路中会不会烧掉可控硅？可控硅在导通后的电流由什么决定？谢谢！

发表于 2012-2-19 13:13

另外，在上电压到保险丝烧断这段时间负载有大电流存在，请问这个怎么处理可以保护负载？

发表于 2012-2-23 18:35

哈哈。我一般是在脑子里仿真的

你做仿真，与你器件的参数设置有关，如果器件是理想的，就不存在“在上电压到保险丝烧断这段时间负载有大电流存在”，因为没有过压。
”

发表于 2012-2-23 22:57

5# light_h
在可控硅导通的情况下是不可能负载有大电流的因为负载和可控硅是并联的而后者的电阻很小

发表于 2012-2-23 23:08

本帖最后由看见未来于 2012-2-23 23:48 编辑

我有个疑问，假如没有前面的保险丝，那么可控硅导通后岂不是相当于电源正极和地直接相连？

发表于 2016-6-19 22:11

进来学习学习支持一下楼主