硅NPN型三极管的工艺结构特点是什么

只看该作者 · 2021-3-14 21:47

硅NPN型三极管的工艺结构特点是什么

只看该作者 · 2021-3-14 21:48

发射区高掺杂：为了便于发射结发射电子，发射区半导体掺浓度高于基区的掺杂浓度，且发射结的面积较小;
基区尺度很薄：3~30μm，掺杂浓度低;
集电结面积大：集电区与发射区为同一性质的掺杂半导体，但集电区的掺杂浓度要低，面积要大，便于收集电子。
三极管不是两个PN结的间单拼凑，两个二极管是组成不了一个三极管的!
工艺结构在半导体产业相当重要，PN结不同材料成份、尺寸、排布、掺杂浓度和几何结构，能制成各样各样的元件，包括IC。

硅NPN型三极管的工艺结构特点是什么

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