关于CY8C24423A内部EEPROM的寿命太短问题

只看该作者 · 2012-2-29 22:33

Cy的芯片内部可以用Flash模拟为EEPROM使用.但是其有严格的擦除和写入时间要求,并且该时间是温度的函数.setting T to 0°C and using the hot value for B and M. This simplification is acceptable only if the total number of erase write ycles are kept to less than 10 and the operation is performed near room temperature.翻译为:设置温度T=0°C,并使用高温段的B和M参数计算擦除和写入时间.在芯片实际温度为室温时,芯片的擦除和写入寿命小于等于10次(不是100次也不是1000次,而是十次).
其内部的温度传感器误差为:Accuracy of ± 20°C with no calibration .没有校正的误差为± 20°C.

只看该作者 · 2012-2-29 22:33

问题就此产生:假设当前芯片温度为25°C,温度传感器采到温度为5°C(-20°C的误差),那么使用该温度计算出来的擦除和写入时间参数EEPROM的寿命会是多少?
解决问题的难点:校正温度传感器误差不现实,生产量太大(3K~7K/每天).使用外部温度传感器也不可能,成本太高(单个的传感器不贵,但是量变成质变).

请大家支招.

只看该作者 · 2012-2-29 22:40

一般情况下，不要将FLASH当EEPROM用，也不要将EEPROM做RAM用。

尽管可以这样使用，但实际上存在问题，寿命和操作时间最突出。因此只适合个别的，如只放一个固定的表格，或不会“频繁”操作使用的情况。

只看该作者 · 2012-2-29 22:46

在常温下PSOC flash的块擦写寿命可达4万次,如果采用滚动写入算法寿命还要增加，
问题的关键在于擦写时必须保证电源的稳定性，我们用PSoc已经6年(200万片)，目前还未
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