PN8611集成超低待机功耗原边控制器、FB下偏电阻和电容、VDD供电二极管、CS电阻及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件超精简的充电器、适配器和内置电源。PN8611为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。
PN8611是一款全电压实现12V1A输出的电源适配器芯片，PCBA尺寸：50.0mm*38.0mm*16.0mm，12W功率输出，待机功耗<75mW，平均效率：>83.26%，可满足CoC V5 Tier 2，全电压可实现±3%的CC/CV输出精度，具有市电异常保护，输出短路、VDD过压、FB上电阻异常、肖特基短路、过温等保护功能。
12v1a适配器方案亮点：
■ 高集成度，仅2颗外围，1颗供电电容和1颗调节输出电压的反馈电阻；
■ 高恒压恒流精度，利用CP trim和FT trim技术，实现CC/CV 3%精度；
■ 高可靠性，精准实现市电异常保护；
■ 高转换效率，多工作模式轻松满足CoC V5 Tier 2能效标；
■ 卓越EMC性能，无Y无共模，EMC余量大于6dB
基于PN8611的12V1A适配器方案，在BOM精简至21颗元器件的情况下，方案依然可满足CoC V5 Tier 2能效要求且安规、EMC余量充足，实乃应对12V1A适配器激烈竞争中的一把利刃，骊微电子提供更多Demo的图纸、BOM、变压器设计、测试数据、应用要点等详细资料。>> |
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