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电路防雷设计元器件参数特性及注意事项

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JKSEMI|  楼主 | 2021-4-6 15:25 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
通讯设备的外连线和接口线都有可能遭受雷击(直接雷击或感应雷击),比如交流供电线、用户线、ISDN接口线、中继线、天馈线等,所以这些外连线和接口线均应采取雷击保护措施。网口的防雷可以采用两种思路:一种思路是要给雷电电流以泄放通路,把高压在变压器之前泄放掉,尽可能减少对变压器影响,同时注意减少共模过电压转为差模过电压的可能性。另一种思路是利用变压器的绝缘耐压,通过良好的器件选型与PCB设计将高压隔离在变压器的初级,从而实现对接口的隔离保护。TSS半导体放电管在信号口防雷电路中的应用为例,详细分析信号口防雷电路设计注意事项及半导体放电管选型要点。

以下是作用于信号口防雷电路的TSS半导体放电管的特性:

1、良好的吸收瞬态浪涌能力

2、快速响应浪涌电压(纳秒级)

3、消除快速上升瞬变造成的过电压

4、湿度敏感度等级:1级

5、非退化

产品应用:

它们被设计在应用中,包括调制解调器,电话,线路卡,应答机,传真机,SLICs,T1/E1,xDSL,PBXs以及更多应用。

设计信号口防雷电路应注意以下几点:

1、 防雷电路的输出残压值必须比被防护电路自身能够耐受的过电压峰值低,并有一定裕量。

2、 防雷电路应有足够的冲击通流能力和响应速度。

3、 信号防雷电路应满足相应接口信号传输速率及带宽的需求,且接口与被保护设备兼容。

4、 信号防雷电路要考虑阻抗匹配的问题。

5、 信号防雷电路的插损应满足通信系统的要求。

6、 对于信号回路的峰值电压防护电路不应动作,通常在信号回路中,防护电路的动作电压是信号回路的峰值电压的1.3~1.6倍。

半导体放电管特性参数:

①断态电压 VRM 与漏电流 IRM:断态电压 VRM 表示半导体过压保护器 不导通的最高电压,在这个电压下只有很小的漏电流 IRM。

②击穿电压 VBR:通过规定的测试电流 IR(一般为 1mA)时的电压, 这是表示半导体过压保护器开始导通的标志电压。

③转折电压 VBO 与转折电流 IBO:当电压升高达到转折电压 VBO时,半导体过压保护器完全导通,呈现很小的阻抗, 两端电压 VT 立即下降到一个很低的数值 (一般为 5V 左右) 。

④峰值脉冲电流 IPP:半导体过压保护器能承受的最大脉冲电流。

⑤维持电流 IH:半导体过压保护器继续保持导通状态的最小电流。 一旦流过它的电流小于维持电流 IH,它就恢复到截止状态。

⑥静态电容 C:半导体过压保护器在静态时的电容值。

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