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这里用三极管代替二极管有什么好处?

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| 2021-4-11 10:46 | 显示全部楼层

因为这个工艺专门造CMOS器件的,根本没有二极管可选。

当然了,图中的三极管,实际上也是暗渡陈仓偷出来的----利用CMOS工艺中可以制造衬底PNP。


所以芯片设计相对于分立件设计,除了NMOS/CMOS管是绰绰有余,其它的器件是要啥没啥,所以说是一门“艺术”,巧妇可以做无米之炊。


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| 2021-4-11 11:07 | 显示全部楼层
本帖最后由 king5555 于 2021-4-11 11:08 编辑

三极管的串联內阻比二极管的串联內阻还小,受到I3变动时Vbe的变化会较小。同理要拿Vbe或Vd当作基准源,绝对是Vbe的三极管较优秀。事实上运放內部看到的二极管符号,其实是三极管的基集相接。
Image_357.png
Image_357.png

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| 2021-4-12 14:07 | 显示全部楼层
现今大规模超大规模集成电路工艺没有二极管,全都采用三极管的连极变形体!

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hk6108 2021-4-13 00:20 回复TA
发射结是 大功率二极管,正向电流是 Ie ,BJT 接成二极管,就是把 Ic 利用起来,发射结得以物尽其用。 
| 2021-4-12 23:54 | 显示全部楼层
本帖最后由 hk6108 于 2021-4-13 00:22 编辑

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