stm32的flahs部分擦写寿命问题

发表于 2021-4-12 19:23

想用stm32f0系列的flash代替eeprom。 flash一页最少也有1kB，用不了这么多，如果每次写入，只写入少量字节

发表于 2021-4-12 19:26

还有什么现象？能再详细描述下吗？

发表于 2021-4-12 19:28

比如100Bit，那么该页剩下的flash 空间，是不是寿命不影响

发表于 2021-4-12 19:37

什么意思？不是很明白你说的什么，能再解释一下这个现象吗

发表于 2021-4-12 19:39

就是说这100Bit写了比如1万次，这一页剩下的空间，依然还有1万次的寿命？

发表于 2021-4-12 19:42

你可以分几个区域，循环写啊

发表于 2021-4-12 19:44

想得美。想要写，就要先擦除扇区。

发表于 2021-4-12 19:45

KV平衡读写可以延长寿命，扇区擦除一次，但是每次写不同的区域。

发表于 2021-4-12 19:47

这个要自己写，或者用AliOS Things。

发表于 2021-4-12 19:49

AliOS Things已经对STM主流型号做了适配，内置KV平衡读写。

发表于 2021-4-12 19:51

AliOS Things的问题是版本迭代速度太快，文档太少。

发表于 2021-4-12 19:54

写在空白处应该可以吧，写满之后再将这个页面擦除重写。

发表于 2021-4-12 19:56

可以。那样程序会稍复杂点。

发表于 2021-4-12 19:58

不用那么纠结吧反正够用

发表于 2021-4-12 20:00

AliOS Things的STM32支持能给个链接吗？没有找到。

发表于 2021-4-12 20:02

flash 的寿命取决于改变0和1的次数，每一位都有接近最大改变次数（寿命）

发表于 2021-4-12 20:07

0万/100万应该是指无错误操作次数，但不是说到了10万次就不能用了，只是建议

发表于 2021-4-12 20:10

如果擦写操作是 0->1, 那么 1->1 理论上不影响寿命

发表于 2021-4-12 20:12

同样，理论上写入时 1->1也不会改变寿命

发表于 2021-4-12 20:13

可以规划一下用法，会增加很多次数

[STM32F0] stm32的flahs部分擦写寿命问题