打印
[电路/定理]

光耦,磁隔,容隔特性的比较

[复制链接]
572|2
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
TEL17727938455|  楼主 | 2021-4-25 17:50 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 TEL17727938455 于 2021-4-25 17:51 编辑

光耦的特点:
光耦的优点:价格便宜,电磁干扰低
光耦的缺点:传输速率低,通常小于1Mbps
            功耗大;
            体积大,并且一颗芯片一个通道,集成度低;
            耐压特性不高;
            存在光衰问题,寿命差;

磁隔的特点:wafer后加工,成本高,周期长;
            Polyimide的耐压特性和寿命不如二氧化硅;
            天然存在电磁干扰的问题;


容隔的特点:标准CMOS工艺,成本低;
                  二氧化硅耐压特性好;
                  电磁兼容性能好;

使用特权

评论回复
评论
hk6108 2021-5-24 01:17 回复TA
容隔是伪隔离,有电气连系,光耦与磁耦 都是没有电气连系。 

相关帖子

沙发
cctv19881023| | 2021-5-23 17:12 | 只看该作者
电容隔离有什么缺陷呢

使用特权

评论回复
发新帖 我要提问
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

31

主题

64

帖子

1

粉丝