编辑-Z 肖特基二极管的基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅晶片)的接触表面上,形成的肖特基用于阻挡反向电压。肖特基和PN结的整流原理之间存在根本区别。它的耐压仅为40V左右。它的特长是:开关速度非常快:反向恢复时间trr特别短。因此,可以制造开关二极管和低压大电流整流二极管。那么SBT30100VFCT 低压降肖特基二极管ASEMI品牌有何特别之处?
型号:SBT30100VFCT 电性参数:30A100V 芯片材质:SI 正向电流(Io):20A 芯片个数:2 正向电压(VF):0.54V 芯片尺寸:93MIL 浪涌电流Ifsm:120A 漏电流(Ir):20UA 工作温度:-55~+150℃ 恢复时间(Trr):<5nS 引线数量:3 SBT30100VFCT 低压降肖特基二极管正向输出电流:30A;反向耐压:100V;正向压降:0.54V;漏电流:20ua;包装形式:TO-220AB;工作温度范围:-55至+ 150℃
SBT30100VFCT这样的30A,100V低压降肖特基产品是近年来市场上的热门产品。在固定电流下,正向压降比传统的肖特基低近30%。使用先进的沟槽制造技术,可以将满载效率提高4%以上。采用TRENCH先进技术的ASEMI品牌低压降肖特基SBT30100VFCT和SBT30100UFCT均具有三脚共阴极结构。 SBT30100VFCT的V代表V版本的LOW VFCT(100V V版本VFCT = 0.63v)
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