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[AT32F413] AT32F413RCT7,写完flash,功耗问题-done

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 楼主 | 2021-4-30 11:35 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 muyichuan2012 于 2021-5-7 11:48 编辑

AT32F413RCT7,每次mcu空闲的时候,我会关闭全部外设,使用内部时钟,低频运行,电流在1ma左右,  但是我只要写一下flash, 每次空闲的时候,电流会在9ma左右。   这是什么原因?写flash的代码如下。
FLASH_Unlock();
        FLASH_ErasePage(addr);
        addr = addr+2;
        FLASH_ProgramHalfWord(addr, prm[1]);
        addr = addr-2;
        FLASH_ProgramHalfWord(addr, prm[0]);
        FLASH_Lock();

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 楼主 | 2021-4-30 11:39 | 显示全部楼层

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| 2021-4-30 21:37 | 显示全部楼层

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| 2021-5-1 16:06 | 显示全部楼层
本帖最后由 muyichuan2012 于 2021-5-1 16:08 编辑

是不是qq群里我们已经联系了?

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| 2021-5-2 10:16 | 显示全部楼层
顶一下,关注中。

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| 2021-5-6 16:42 | 显示全部楼层
擦除或者写flash后为了让flash更快响应,会让保持工作状态,所以功耗更高。如果想要降低功耗可以在擦写完成后,再读一下非零等待区地址的数据,比如读一下systemmem地址的数据

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| 2021-5-7 11:47 | 显示全部楼层
感谢反馈该问题,正如楼上所讲,想要低功耗,读一下比如读一下systemmem地址的数据就可以解决了。
有和楼主微信取得联系,该问题已经解决。

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| 2021-5-7 23:41 | 显示全部楼层
持续关注中,不错的帖子。

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