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DC/DC电源芯片开关频率问题

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wangao269|  楼主 | 2012-3-5 10:16 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
jjjyufan| | 2012-3-5 10:25 | 只看该作者
现在能量转换都是在电磁之间进行,磁性材料的储能是与频率和体积直接相关的:E=0.5VB2f/u,频率越高、磁性材料的体积越大、磁摆幅越大、磁导率越小都可以提高输出功率。所以要提高功率密度,就要想办法减小体积,提高频率,增大磁摆幅。

从公式上看,降低磁导率也可以提高输出功率,但这样做的话,在相同磁摆幅条件下,磁场强度H将会增大,即NI增大,这样可能会带来更大的损耗,所以通常不会采用这种方法。

频率的提升会带来各种损耗增大,铁损随频率提高而增大,集肤效应和邻近效应使得铜损也会随频率提高而所有增大,MOS管的输入输出结电容损耗、漏感损耗都会随频率的提高而增大,不过这些问题可以通过软开关等技术解决一部分。

频率升高还会带来其他问题,比如EMI、环路响应,不过提高频率是提高功率密度的必然选择。

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板凳
古月仁hjr| | 2012-3-5 10:59 | 只看该作者
一般是为了提高功率密度
但又会带来负面影响:纹波、噪声、电感大小
所以虽然高频化是一个趋势,但实际中目前还是用几百k足以(300k内)

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地板
wangao269|  楼主 | 2012-3-5 11:15 | 只看该作者
不是吧,目前TI的电源芯片很多可以轻易达到1MHZ

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大飞| | 2012-3-5 11:18 | 只看该作者
不是吧,目前TI的电源芯片很多可以轻易达到1MHZ
wangao269 发表于 2012-3-5 11:15
你仔细看看2L的答复,要真正理解频率高低的选择是基于什么原因。

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yewuyi| | 2012-3-5 11:22 | 只看该作者
频率高,则隔离变压器可以做得更小,但问题也自然来了,开关管的开关损耗可能加大了,EMC/EMI问题也更难处理了。

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