耐压和ESD冲突怎么办?

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紫阳真人|  楼主 | 2021-5-11 13:43 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 紫阳真人 于 2021-5-13 15:45 编辑

如图所示,产品为了ESD防护,在端口对PE加了TVS管(30V双向),同时产品电源对机壳之间需要过500V耐压,这样就会造成矛盾。除了把电源隔离不知道有什么其他办法。

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耐压ESD矛盾.png

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紫阳真人|  楼主 | 2021-5-13 09:43 | 显示全部楼层

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bb688| | 2021-5-13 12:19 | 显示全部楼层
Pe线不能用作电源基本常识

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紫阳真人|  楼主 | 2021-5-13 15:45 | 显示全部楼层
bb688 发表于 2021-5-13 12:19
Pe线不能用作电源基本常识

我重新画这个图,设备的供电是隔离的24V,TVS管作为24V电源和机壳连接的桥梁,这样就违背了500V耐压的要求 38973609cd860434b3.png

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gx_huang| | 2021-5-13 16:28 | 显示全部楼层
我从来不愿意把TVS接外壳,都是接主板GND。
主板GND和外壳之间,可以加RC网络。

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紫阳真人|  楼主 | 2021-5-13 19:34 | 显示全部楼层
gx_huang 发表于 2021-5-13 16:28
我从来不愿意把TVS接外壳,都是接主板GND。
主板GND和外壳之间,可以加RC网络。 ...

是这样的吗,我的理解是R可以缓慢释放电路中累积的电荷,C可以快速释放从接口等位置打进来的高峰值静电脉冲,是不是?R一般取1M欧,C一般取1nF Y2电容还是什么电容,是不是?
我从来没试过这种电路,能抗15kV吗?
19451609d074c7946e.png


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gx_huang| | 2021-5-14 16:04 | 显示全部楼层
紫阳真人 发表于 2021-5-13 19:34
是这样的吗,我的理解是R可以缓慢释放电路中累积的电荷,C可以快速释放从接口等位置打进来的高峰值静电脉 ...

R可以只有1个,C可以好多个,不同的地方,减少高频阻抗。
ESD只是保护主板器件,直接放电到电源地,效果更好。

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紫阳真人|  楼主 | 2021-5-17 09:03 | 显示全部楼层
gx_huang 发表于 2021-5-14 16:04
R可以只有1个,C可以好多个,不同的地方,减少高频阻抗。
ESD只是保护主板器件,直接放电到电源地,效果 ...

这颗电容一般选什么电容?陶瓷电容会随着电压升高而降低容值,还要选一个ESR、ESL低的,这样直插的Y2电容就不好用了。

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水蛭| | 2021-5-19 16:42 | 显示全部楼层
这两个电压是不同概念,别搞混了。
双向30V是器件直接对电路上的直流击穿电压。
测试的500V当属静电500V。

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紫阳真人|  楼主 | 2021-5-20 09:29 | 显示全部楼层
水蛭 发表于 2021-5-19 16:42
这两个电压是不同概念,别搞混了。
双向30V是器件直接对电路上的直流击穿电压。
测试的500V当属静电500V。 ...

500V是安规里面的耐压测试,是要500V持续1min的,不是静电

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