[运放] 运放加MOS组成的恒流源原理?
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作者已经用解析式指出,负载RL在MOS管的漏极的话,该电路的输出电流与负载电阻RL无关,只与电路内部的R3阻值大小、R1与R2组成的分压(即Vin)大小有关,这就是恒流源的特征(在电路允许的范围内,输出电流恒定且与负载电阻大小无关)。
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@zyj9490 :完全理解你说的内容,如果要真正解决共地的问题,只能用Pmos。Nmos就算负载接在S极,距地还隔着一个恒流取样电阻,不能达到输出需要共地的要求。
@wanwenhao1 :且在相位上要解决。
@wanwenhao1 :其实这个问题,各有长处,如果恒流输出给下级负载电路,牵扯到一个问题共地的问题的,放在下端即S端,一般可共地输出,说白了,高侧与低侧的区别,对高侧而言,本地恒流负载比较合适,对运放的输出动态范围要求低,但输出比较麻烦要差分检测。相反,在低侧比较好,实际上反馈电压放大高侧,负载放在低侧,这样动态范围和共地都可解决,但需要PMOS管
@zyj9490 :极限情况下,运放输出电压可接近Vcc,而负载上的电压,也就是MOS管S极的电压也可能接近Vcc。这样极可能出现Ugs电压不足够高,影响MOS管的恒流能力的情况。所以要恒流源尽可能在电源限制的范围内都能正常工作,负载应该要接在mos管的D极会路上,才算合理。
看运放的输出动态范围。
你13楼可不是这么说的,而是:......负载必须接在D极上。14楼只是针对“必须”而言。负载串联S也可恒流,实在不行提高VCC电压,就可恒流。其实,即使负载串联D极,负载电阻大了,或者恒流值大了也是不行的,只有提高VCC电压。这也符合理想恒流源本质的:电压无限高,内阻无穷大。
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