打印

MOS管为什么老是烧毁

[复制链接]
6242|22
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
为什么我的mos管Vds,老是烧毁成导通状态了呢?原始是想,当电流过大的时候,通过0.2Ω电阻,会产生一个压降,导致三极管Q3008导通;
再通过2个MOS管最终关断Q1这个mos;
实测下来在2A的时候波形如下,Q1没有输出;
但是现在发现一个很严重的问题,那就是Q1这个mos管老是烧毁;
于是把Q1的三个极均焊出来,波形测量了一下;
请大神帮忙指导一下,为什么我的Vds老是烧毁呢?









使用特权

评论回复

相关帖子

沙发
美杜莎|  楼主 | 2021-7-3 18:17 | 只看该作者
@HWM @xukun977 @一下两位大神,期望能获得更多关注

使用特权

评论回复
板凳
Diyer123| | 2021-7-3 20:50 | 只看该作者
MOS管的烧毁,都是进入了非SOA(安全工作区)

使用特权

评论回复
地板
美杜莎|  楼主 | 2021-7-3 20:54 | 只看该作者
Diyer123 发表于 2021-7-3 20:50
MOS管的烧毁,都是进入了非SOA(安全工作区)

什么意思,能否帮忙详细讲解一下?

使用特权

评论回复
5
Diyer123| | 2021-7-3 21:11 | 只看该作者
美杜莎 发表于 2021-7-3 20:54
什么意思,能否帮忙详细讲解一下?

在手册上找到这个图,然后结合你的负载条件,看什么情况下会脱离这个安全工作区:


使用特权

评论回复
6
xukun977| | 2021-7-3 21:51 | 只看该作者



这个限流电流大环路,看起来像是个正反馈,电路成为振荡器了。

使用特权

评论回复
7
dandantcb| | 2021-7-4 09:51 | 只看该作者
你这几个电阻电容太离谱了。MOS管,作为开关时,需要快速的打开和关断,不然会有比较长的时间处于中间状态,导致发热严重。所以,建议你先把这两个分压电阻换成10k级别的,然后把分压电阻上并联的电容和TVS二极管去掉。。。

使用特权

评论回复
8
HWM| | 2021-7-4 09:54 | 只看该作者
本帖最后由 HWM 于 2021-7-4 10:05 编辑

“原始是想,当电流过大的时候,通过0.2Ω电阻,会产生一个压降,导致三极管Q3008导通;
再通过2个MOS管最终关断Q1这个mos”


设计问题。

限流要从负载取样,本坛中就有范例,建议参考一下。

给个链接:

运放电路求分析
https://bbs.21ic.com/icview-3141738-1-1.html

使用特权

评论回复
9
xdqfc| | 2021-7-4 10:01 | 只看该作者
从楼主的电路图观察,MOS的充放电电阻看起来好像都是几百K啊,有这么设计的吗???

使用特权

评论回复
10
gaohq| | 2021-7-4 10:27 | 只看该作者
本帖最后由 gaohq 于 2021-7-4 10:29 编辑

楼主电路过流后只能是打嗝式保护,需要增加自锁电路。过流时

未过流时

使用特权

评论回复
11
Siderlee| | 2021-7-4 11:13 | 只看该作者
过流保护打嗝啦  而且很长的嗝

使用特权

评论回复
12
hhhh0294| | 2021-7-4 11:45 | 只看该作者
赞同11楼

使用特权

评论回复
13
gaohq| | 2021-7-4 12:05 | 只看该作者

打嗝时间间隔长一点

使用特权

评论回复
评论
lfc315 2021-7-4 15:32 回复TA
搞个高边检测的呗 
14
QuakeGod| | 2021-7-4 12:11 | 只看该作者
为什么我的mos管Vds,老是烧毁成导通状态了呢?原始是想,当电流过大的时候,通过0.2Ω电阻,会产生一个压降,导致三极管Q3008导通;
再通过2个MOS管最终关断Q1这个mos;


其实吧,这个电路完全实现了你说的功能。
但是你只说了开头,没有说结尾。

Q1确实关断了,但是Q1关断之后,过流条件了没有了,
关键是你还要想明白Q1关断之后的事情,是保持关断,知道电源重新上电。
还是等一段时间自己恢复供电?
还是保证电流不要超过2A?这一项是最难办的。
因为你就成了恒流电路了,恒流电路的发热量简直太大了。

使用特权

评论回复
15
lfc315| | 2021-7-4 15:11 | 只看该作者
这么多电容延时,反应时间太长了,电流大的话,电路还没反应,MOS就烧了;
即使电路反应了,也只是限流,很快就过热烧了。
Q3008的C极接到Q1的G极,反应速度最快。
最好改为过流之后关闭Q1并自锁。

使用特权

评论回复
16
977的一大堆理论不讲啦,这个就是工作在 放大状态恶性循环烧毁的,申明一下,咱是农民,多年前就入过这个坑了,理论讲多了都傻了,算了还是不讲,这个要用滞回比较器来做比较并需要做锁定,否则就会无数次开始无数次分离,老在放大区徘徊留恋

使用特权

评论回复
17
xukun977| | 2021-7-4 17:48 | 只看该作者



我要是说话,这几个黑粉--尤其是五大金刚----他说你就会说大道理。
你要是尽可能地少说话,甚至是不吭声,他又问你怎么不讲啦?!

讲与不讲,这些黑粉都能找你麻烦。


既然人家让俺扯,那就开始使劲扯。

使用特权

评论回复
18
xukun977| | 2021-7-4 17:53 | 只看该作者



这样改,行不行,专家们??



使用特权

评论回复
19
xukun977| | 2021-7-4 20:01 | 只看该作者
king5555 发表于 2021-7-4 19:57
俺向来支持你这个人,但仍然就事论事。
行,缺点多。缺点:少了致能控制。没有公共点了。输入电压変动时之 ...



真是笑死人!!

俗话说,人无完人。电路也同样如此,优点和缺点相依相靠而生,两者的对立是相对于电路设计指标而言的,而非绝对的,同样一个电路,在不同的应用场合,优点和缺点是可以相互转换的。

使用特权

评论回复
20
gaohq| | 2021-7-4 21:42 | 只看该作者
xukun977 发表于 2021-7-4 17:53
这样改,行不行,专家们??

缺点:有一小段时间三极管处于放大状态,MOSFET要断不断,这就是我要加比较器的原因,我想让MOSFET关断得干脆利落些。
优点:电路简单。

使用特权

评论回复
发新帖 我要提问
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

个人签名:猜猜谁是俺的马夹?

199

主题

2178

帖子

9

粉丝